Technologie MOCVD

VeTek Semiconductor possède un avantage et une expérience dans les pièces de rechange de la technologie MOCVD.

MOCVD, le nom complet de Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (dépôt chimique en phase vapeur métal-organique), peut également être appelé épitaxie en phase vapeur métal-organique. Les composés organométalliques sont une classe de composés possédant des liaisons métal-carbone. Ces composés contiennent au moins une liaison chimique entre un métal et un atome de carbone. Les composés métallo-organiques sont souvent utilisés comme précurseurs et peuvent former des films minces ou des nanostructures sur le substrat grâce à diverses techniques de dépôt.

Le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (technologie MOCVD) est une technologie de croissance épitaxiale courante, la technologie MOCVD est largement utilisée dans la fabrication de lasers et de LED à semi-conducteurs. En particulier lors de la fabrication de LED, le MOCVD constitue une technologie clé pour la production de nitrure de gallium (GaN) et de matériaux associés.

Il existe deux formes principales d'épitaxie : l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie en phase vapeur (VPE). L'épitaxie en phase gazeuse peut être divisée en dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) et épitaxie par jet moléculaire (MBE).

Les équipementiers étrangers sont principalement représentés par Aixtron et Veeco. Le système MOCVD est l'un des équipements clés pour la fabrication de lasers, de LED, de composants photoélectriques, d'alimentation, de dispositifs RF et de cellules solaires.

Principales caractéristiques des pièces détachées de technologie MOCVD fabriquées par notre société :

1) Haute densité et encapsulation complète : la base en graphite dans son ensemble se trouve dans un environnement de travail à haute température et corrosif, la surface doit être entièrement enveloppée et le revêtement doit avoir une bonne densification pour jouer un bon rôle protecteur.

2) Bonne planéité de la surface : étant donné que la base en graphite utilisée pour la croissance monocristalline nécessite une planéité de surface très élevée, la planéité d'origine de la base doit être maintenue après la préparation du revêtement, c'est-à-dire que la couche de revêtement doit être uniforme.

3) Bonne force de liaison : réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre la base en graphite et le matériau de revêtement, ce qui peut améliorer efficacement la force de liaison entre les deux, et le revêtement n'est pas facile à fissurer après avoir subi une chaleur à haute et basse température. faire du vélo.

4) Conductivité thermique élevée : une croissance de copeaux de haute qualité nécessite que la base en graphite fournisse une chaleur rapide et uniforme, de sorte que le matériau de revêtement doit avoir une conductivité thermique élevée.

5) Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion : le revêtement doit être capable de fonctionner de manière stable dans un environnement de travail à haute température et corrosif.

Placer un substrat de 4 pouces
Épitaxie bleu-vert pour la culture de LED
Logé dans la chambre de réaction
Contact direct avec la plaquette Placer un substrat de 4 pouces
Utilisé pour faire pousser un film épitaxial UV LED
Logé dans la chambre de réaction
Contact direct avec la plaquette Machine Veeco K868/Veeco K700
Epitaxie LED blanche / Epitaxie LED bleu-vert Utilisé dans les équipements VEECO
Pour l'épitaxie MOCVD
Suscepteur de revêtement SiC Équipement Aixtron TS
Epitaxie ultraviolette profonde
Substrat de 2 pouces Équipement Veeco
Epitaxie LED rouge-jaune
Substrat de plaquette de 4 pouces Suscepteur enduit de TaC
(Récepteur LED SiC Epi/UV) Suscepteur revêtu de SiC
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Suscepteur)