Suscepteur de revêtement MOCVD SiC

Le suscepteur de revêtement VeTek Semiconductor MOCVD SiC est fabriqué à partir de matériaux de haute qualitégraphite, qui est sélectionné pour sa stabilité thermique et sa excellente conductivité thermique (environ 120-150 W / m · K). Les propriétés inhérentes du graphite en font un matériau idéal pour résister aux conditions difficiles à l'intérieurRéacteurs MOCVD. Pour améliorer ses performances et prolonger sa durée de vie, le suscepteur en graphite est soigneusement recouvert d'une couche de carbure de silicium (SiC).

Le suscepteur de revêtement MOCVD SiC est un composant clé utilisé dansDépôt de vapeur chimique (CVD)etProcessus de dépôt de vapeur chimique en métal (MOCVD). Sa fonction principale est de soutenir et de chauffer les plaquettes en silicium ou en silicium en silicium (SIC) et en assurant un dépôt de gaz uniforme dans un environnement à haute température. Il s'agit d'un produit indispensable dans le traitement des semi-conducteurs.

Applications du suscepteur de revêtement MOCVD SiC dans le traitement des semi-conducteurs:

Support et chauffage des plaquettes:

MOCVD SIC Rebating Le suscepteur a non seulement une fonction de support puissante, mais peut également chauffer efficacement letrancheuniformément pour assurer la stabilité du processus de dépôt chimique en phase vapeur. Pendant le processus de dépôt, la conductivité thermique élevée du revêtement SiC peut transférer rapidement l'énergie thermique à chaque zone de la tranche, évitant ainsi une surchauffe locale ou une température insuffisante, garantissant ainsi que le gaz chimique peut être déposé uniformément sur la surface de la tranche. Cet effet uniforme de chauffage et de dépôt améliore considérablement la cohérence du traitement des tranches, rendant l'épaisseur du film de surface de chaque tranche uniforme et réduisant le taux de défauts, améliorant encore le rendement de production et la fiabilité des performances des dispositifs semi-conducteurs.

Croissance par épitaxie:

Dans leProcessus MOCVD, les supports revêtus de SiC sont des composants clés du processus de croissance par épitaxie. Ils sont spécifiquement utilisés pour supporter et chauffer des tranches de silicium et de carbure de silicium, garantissant que les matériaux en phase vapeur chimique peuvent être déposés uniformément et avec précision sur la surface de la tranche, formant ainsi des structures de couches minces de haute qualité et sans défauts. Les revêtements SiC résistent non seulement aux températures élevées, mais maintiennent également la stabilité chimique dans des environnements de processus complexes pour éviter la contamination et la corrosion. Par conséquent, les supports revêtus de SiC jouent un rôle essentiel dans le processus de croissance par épitaxie des dispositifs semi-conducteurs de haute précision tels que les dispositifs d'alimentation en SiC (tels que les MOSFET et les diodes SiC), les LED (en particulier les LED bleues et ultraviolettes) et les cellules solaires photovoltaïques.

Nitrure de gallium (GAN)et épitaxie de l'arséniure de gallium (GaAs):

Les supports revêtus de SiC sont un choix indispensable pour la croissance des couches épitaxiales de GaN et GaAs en raison de leur excellente conductivité thermique et de leur faible coefficient de dilatation thermique. Leur conductivité thermique efficace peut répartir uniformément la chaleur pendant la croissance épitaxiale, garantissant ainsi que chaque couche de matériau déposé peut croître uniformément à une température contrôlée. Dans le même temps, la faible dilatation thermique du SiC lui permet de rester dimensionnellement stable sous des changements de température extrêmes, réduisant ainsi efficacement le risque de déformation de la tranche, garantissant ainsi la haute qualité et la cohérence de la couche épitaxiale. Cette caractéristique fait des supports à revêtement SiC un choix idéal pour la fabrication de dispositifs électroniques haute fréquence et haute puissance (tels que les dispositifs GaN HEMT) et de communications optiques et de dispositifs optoélectroniques (tels que les lasers et détecteurs à base de GaAs).

It semi-conducteurAteliers de suscepteurs de revêtement MOCVD SiC: