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Gan GaN à base de silicium Suscepteur

Gan GaN à base de silicium Suscepteur

Le suscepteur épitaxial GaN à base de silicium est la composante centrale requise pour la production épitaxiale du GaN. Le suscepteur épitaxial GaN à base de silicium à base de silicium est spécialement conçu pour le système de réacteur épitaxial GaN à base de silicium, avec des avantages tels que la haute pureté, une excellente résistance à haute température et une résistance à la corrosion. Bienvenue à votre nouvelle consultation.
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