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La tranche épitaxiale MOCVD fournit
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La tranche épitaxiale MOCVD fournit

Vetek Semiconductor est engagé depuis longtemps dans l'industrie de la croissance épitaxiale des semi-conducteurs et possède une expérience et des compétences riches en matière de suscepteur de la plaquette épitaxiale MOCVD. Aujourd'hui, le semi-conducteur Vetek est devenu le principal fabricant et fournisseur de suscepteur de la plaquette épitaxiale de la Chine, et les suscepteurs de la plaquette qu'il fournissent ont joué un rôle important dans la fabrication de plaquettes épitaxiales GaN et d'autres produits.

Le suscepteur de la plaque épitaxiale MOCVD est un suscepteur de plaquette épitaxial haute performance conçu pour les équipements MOCVD (dépôt de vapeur chimique en métal-organique). Le suscepteur est fait de matériau de graphite SGL et enduit de revêtement en carbure de silicium, qui combine la conductivité thermique élevée du graphite avec l'excellente température et résistance à la corrosion du SiC, et convient à l'environnement de travail dur de haute température, à haute pression et à un gaz corrosif pendant la croissance épitaxiale des semi-conducteurs.


Le matériau de graphite SGL a une excellente conductivité thermique, qui garantit que la température de la tranche épitaxiale est répartie uniformément pendant le processus de croissance et améliore la qualité de la couche épitaxiale. Le revêtement SIC revêtu permet au suscepteur de résister à des températures élevées de plus de 1600 ℃ et à s'adapter à l'environnement thermique extrême dans le processus MOCVD. De plus, le revêtement SIC peut résister efficacement aux gaz de réaction à haute température et à la corrosion chimique, prolonger la durée de vie du suscepteur et réduire la pollution.


Le suscepteur de la plaquette épitaxial MOCVD de Veteksemi peut être utilisé en remplacement des accessoires de fournisseurs d'équipement MOCVD tels que Aixtron.MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth


● Taille: Peut être personnalisé en fonction des besoins des clients (taille standard disponible).

● Capacité de charge: Peut transporter plusieurs tranches épitaxiales multiples ou même plus à la fois (selon la taille du suscepteur).

● Traitement de surface: Revêtement SIC, résistance à la corrosion, résistance à l'oxydation.


Il s'agit d'un accessoire important pour une variété d'équipements de croissance de la plaquette épitaxiale


● Industrie des semi-conducteurs: Utilisé pour la croissance des tranches épitaxiales telles que les LED, les diodes laser et les semi-conducteurs de puissance.

● Industrie de l'optoélectronique: Soutient la croissance épitaxiale des dispositifs optoélectroniques de haute qualité.

● Recherche et développement matériel haut de gamme: Appliqué à la préparation épitaxiale de nouveaux semi-conducteurs et de matériaux optoélectroniques.


Selon le type d'équipement MOCVD du client et les besoins de production, Vetek Semiconductor fournit des services personnalisés, y compris la taille du suscepteur, le matériau, le traitement de surface, etc., pour s'assurer que la solution la plus appropriée est fournie aux clients.


CVD SIC Film Structure cristalline

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité de revêtement sic
3,21 g / cm³
Dureté de revêtement sic
2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains
2 ~ 10 mm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPA RT 4 points
Module de jeunes
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique
300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5 × 10-6K-1

It semi-conducteur MOCVD EPITAXIAL WAFER SUSNEPROR

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