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Gan Epitaxial Undertaker
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Gan Epitaxial Undertaker

En tant que principal fournisseur et fabricant de suscepteur épitaxial GAn en Chine, Vetek Semiconductor GaN Epitaxial Susgencor est un suscepteur de haute précision conçu pour le processus de croissance épitaxial du GAN, utilisé pour soutenir des équipements épitaxiaux tels que CVD et MOCVD. Dans la fabrication de dispositifs GaN (tels que les dispositifs électroniques de puissance, les dispositifs RF, les LED, etc.), le suscepteur épitaxial GaN transporte le substrat et atteint un dépôt de haute qualité de films minces GaN sous un environnement à haute température. Bienvenue à votre autre demande.

Le suscepteur épitaxial GAn est conçu pour le processus de croissance épitaxial du nitrure de gallium (GAN) et convient aux technologies épitaxiales avancées telles que le dépôt chimique chimique à haute température (CVD) et le dépôt de vapeur chimique organique métallique (MOCVD). Le suscepteur est constitué de matériaux résistants à haute pureté et à haute température pour assurer une excellente stabilité dans des environnements à haute température et multiples, répondant aux exigences de processus exigeantes des dispositifs semi-conducteurs avancés, des dispositifs RF et des champs LED.



De plus, le suscepteur épitaxial Gan Epitaxial de Vetek Semiconductor possède les caractéristiques du produit suivantes:


● Composition du matériau

Graphite de haute pureté: le graphite SGL est utilisé comme substrat, avec des performances excellentes et stables.

Revêtement en carbure de silicium: Fournit une conductivité thermique extrêmement élevée, une forte résistance à l'oxydation et une résistance à la corrosion chimique, adaptée aux besoins de croissance des dispositifs GaN de haute puissance. Il montre une excellente durabilité et une longue durée de vie à service dans des environnements difficiles tels que les MCV à haute température et le MOCVD, ce qui peut réduire considérablement les coûts de production et la fréquence de maintenance.


● Personnalisation

Taille personnalisée: Vetek Semiconductor prend en charge le service personnalisé en fonction des besoins des clients, la taille de laentrepreneuret le trou de la plaquette peut être personnalisé.


● Plage de températures de fonctionnement

Le suscepteur épitaxial de Veteksemi Gan pourrait résister à des températures allant jusqu'à 1200 ° C, assurant une uniformité et une stabilité à haute température.


● Équipement applicable

Notre suscepteur Gan Epi est compatible avec le courant dominantÉquipement mocvdcomme Aixtron, Veeco, etc., adapté à la haute précisionProcessus épitaxial Gan.


Veteksemi s'est toujours engagée à fournir aux clients les produits GAn Epixial Suscepteur les plus appropriés et les plus appropriés et se réjouit de devenir votre partenaire à long terme. Vetek Semiconductor vous fournit des produits et services professionnels pour vous aider à obtenir de plus grands résultats dans l'industrie de l'épitaxie.


CVD SIC Film Structure cristalline


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité de revêtement sic
3,21 g / cm³
Dureté de revêtement sic
2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains
2 ~ 10 mm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPA RT 4 points
Module de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique
300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5 × 10-6K-1

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