CVD TAC enduit de guide à trois pétenles

Le matériau de substrat monocusstal en carbure de silicium est une sorte de matériau en cristal, qui appartient à un large matériau semi-conducteur. Il présente les avantages d'une résistance à haute tension, d'une résistance à haute température, d'une fréquence élevée, d'une perte faible, etc. Il s'agit d'un matériau de base pour la préparation de dispositifs électroniques de puissance haute puissance et de dispositifs radiofréquences micro-ondes. À l'heure actuelle, les principales méthodes de croissance des cristaux SIC sont le transport physique de vapeur (méthode PVT), le dépôt de vapeur chimique à haute température (méthode HTCVD), la méthode de phase liquide, etc.

La méthode de transport physique de vapeur (PVT) est une technique bien établie très adaptée à la production industrielle à grande échelle. Dans ce processus, un cristal de graines SIC est positionné au sommet du creuset, tandis que la poudre de Sic, servant de matière première, est placée au fond du creuset. Dans les conditions de température élevée et de basse pression dans un environnement fermé, la poudre SIC sublime. Poussé par le gradient de température et la différence de concentration, les espèces sublimées se déplacent vers le haut vers la région près du cristal des graines. Une fois atteint un état sursaturé, la recristallisation se produit, permettant un contrôle précis sur la taille et le type de cristal spécifique des cristaux SIC cultivés.

L'anneau de guide à trois pétales enduit de CVD TAC sert plusieurs fonctions cruciales. Il améliore principalement la mécanique des fluides en guidant le flux de gaz, garantissant que la zone de croissance cristalline est exposée à une atmosphère uniforme. De plus, il dissipe efficacement la chaleur pendant le processus de croissance des cristaux SIC. En maintenant le gradient de température approprié, il optimise les conditions de croissance des cristaux SIC et atténue le risque de défauts de cristal causés par une distribution de température inégale.