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Suscepteur en graphite à revêtement CVD SiC pour support de plaquette
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Suscepteur en graphite à revêtement CVD SiC pour support de plaquette

Le suscepteur en graphite à revêtement SiC VETEK CVD pour support de plaquette est un composant de support de plaquette haute performance conçu pour les processus d'épitaxie de semi-conducteurs. Le produit utilise du graphite de haute pureté comme substrat et est recouvert d'une couche uniforme de carbure de silicium (SiC) CVD, offrant une excellente stabilité thermique, une résistance chimique et un contrôle des particules. En tant que composant critique du suscepteur du graphite, il supporte directement les tranches à l’intérieur de la chambre de réaction et aide à maintenir une répartition uniforme de la température et des conditions de croissance épitaxiale stables.

1. Avantages du produit


  • Matériau de haute pureté :Le matériau graphite de qualité semi-conducteur et la structure dense du revêtement SiC minimisent les risques de contamination et améliorent la fiabilité du suscepteur en graphite recouvert de SiC CVD.
  • Excellente uniformité thermique :La structure en graphite optimisée et le revêtement SiC assurent un transfert de chaleur stable et un contrôle uniforme de la température des plaquettes.
  • Résistance chimique supérieure :Le revêtement SiC dense offre une forte résistance aux gaz de procédé et aux environnements corrosifs.
  • Longue durée de vie :Une dureté et une résistance à l'usure élevées améliorent la durabilité dans des conditions d'épitaxie à haute température.
  • Faible génération de particules :La surface dense CVD SiC réduit la libération de particules et améliore la fiabilité du processus de fabrication des plaquettes.
  • Capacité de conception personnalisée :Disponible en différentes tailles, structures et configurations selon les exigences de l'équipement.



2. Spécifications techniques

Article
Valeur typique
Matériau du substrat
Graphite de haute pureté
Matériau de revêtement
Carbure de silicium CVD (SiC)
Pureté SiC
≥99,999 %
Épaisseur du revêtement
100 ± 20 μm (personnalisable)
Uniformité de l'épaisseur du revêtement
Contrôlé dans les 10 μm entre les lots
Densité du revêtement CVD SiC
3,21 g/cm³
Conductivité thermique
300 W/m·K
Coefficient de dilatation thermique
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Candidatures


  • Processus d'épitaxie SiC :Le suscepteur en graphite est utilisé comme support de tranche dans les équipements d'épitaxie SiC, supportant les substrats SiC pendant la croissance épitaxiale à haute température.
  • Processus d'épitaxie de silicium :Appliqué dans les réacteurs épitaxiaux de silicium pour supporter des tranches et maintenir des conditions thermiques stables.
  • Epitaxie MOCVD :Les suscepteurs en graphite VETEK conviennent au MOCVD, à l'épitaxie LED, à l'épitaxie GaN, à l'épitaxie silicium et à d'autres procédés de fabrication de semi-conducteurs nécessitant une excellente uniformité thermique et stabilité chimique.
  • Équipement de fabrication de semi-conducteurs :Compatible avec diverses plates-formes d'épitaxie, notamment les fours horizontaux LPE, Aixtron, NuFlare et les équipements semi-conducteurs associés.



4. Pourquoi choisir VETEK ?

VETEK propose des solutions personnalisées de suscepteurs en graphite à revêtement CVD SiC intégrant des capacités de purification du graphite, d'usinage de précision, de revêtement CVD et d'inspection. Nos produits suscepteurs en graphite de qualité semi-conducteur se caractérisent par une pureté élevée, une épaisseur de revêtement uniforme, d'excellentes performances thermiques et une longue durée de vie pour les applications exigeantes sur les supports de tranches.

Balises actives: Suscepteur de graphite enduit de SiC CVD, suscepteur de graphite, support de tranche de graphite enduit de SiC, suscepteur d'épitaxie de semi-conducteur, suscepteur de graphite MOCVD, support de tranche de SiC, suscepteur de graphite CVD SiC
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