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À quels défis le processus de revêtement CVD TaC pour la croissance de monocristaux de SiC est-il confronté dans le traitement des semi-conducteurs ?

Introduction


Avec le développement rapide de nouveaux véhicules énergétiques, des communications 5G et d'autres domaines, les exigences de performance pour les dispositifs électroniques de puissance augmentent. En tant que nouvelle génération de matériaux semi-conducteurs à large bande de bande, le carbure de silicium (sic) est devenu le matériau préféré des dispositifs électroniques de puissance avec ses excellentes propriétés électriques et sa stabilité thermique. Cependant, le processus de croissance des monocristaux SIC fait face à de nombreux défis, parmi lesquels les performances des matériaux de champ thermique sont l'un des facteurs clés. En tant que nouveau type de matériau de champ thermique, le revêtement TAC CVD est devenu un moyen efficace de résoudre le problème de la croissance unique du SIC en raison de son excellente résistance à la température élevée, de la résistance à la corrosion et de la stabilité chimique. Cet article explorera profondément les avantages, les caractéristiques du processus et les perspectives d'application du revêtement TAC CVD dans la croissance unique du SIC.


Contexte de l'industrie

Schematic diagram of SiC single crystal growth


1. Large application des monocristaux de SiC et problèmes auxquels ils sont confrontés dans le processus de production


Les matériaux monocristallins SiC fonctionnent bien dans les environnements à haute température, haute pression et haute fréquence, et sont largement utilisés dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les alimentations à haut rendement. Selon une étude de marché, la taille du marché du SiC devrait atteindre 9 milliards de dollars américains d'ici 2030, avec un taux de croissance annuel moyen de plus de 20 %. Les performances supérieures du SiC en font une base importante pour la prochaine génération de dispositifs électroniques de puissance. Cependant, lors de la croissance des monocristaux de SiC, les matériaux du champ thermique sont soumis à des environnements extrêmes tels que des températures élevées, des pressions élevées et des gaz corrosifs. Les matériaux de champ thermique traditionnels tels que le graphite et le carbure de silicium s'oxydent et se déforment facilement à haute température et réagissent avec l'atmosphère de croissance, affectant la qualité du cristal.


2. L'importance du revêtement TAC CVD comme matériau de champ thermique


Le revêtement TAC CVD peut offrir une excellente stabilité dans des environnements à haute température et corrosifs, ce qui en fait un matériau indispensable pour la croissance des monocristaux SIC. Des études ont montré que le revêtement TAC peut étendre efficacement la durée de vie des matériaux du champ thermique et améliorer la qualité des cristaux SIC. Le revêtement TAC peut rester stable dans des conditions extrêmes jusqu'à 2300 ℃, évitant l'oxydation du substrat et la corrosion chimique.


Aperçu du sujet


1. Principes de base et avantages du revêtement TAC CVD


Le revêtement TAC CVD est formé en réagissant et en déposant une source de tantale (tel que TACL5) avec une source de carbone à haute température, et a une excellente résistance à la température élevée, une résistance à la corrosion et une bonne adhésion. Sa structure de revêtement dense et uniforme peut prévenir efficacement l'oxydation du substrat et la corrosion chimique.


2. Défis techniques du processus de revêtement CVD TaC


Bien que le revêtement CVD TaC présente de nombreux avantages, son processus de production présente encore des défis techniques, tels que le contrôle de la pureté des matériaux, l'optimisation des paramètres du processus et l'adhérence du revêtement.


Partie I: Le rôle clé du revêtement TAC CVD


Ppropriétés physiques du revêtement TaC
Densité
14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique
Coefficient de dilatation thermique
6,3*10-6/ K
Dureté (HK)
2000 Hong Kong
Résisposition
1 × 10-5Ohm * cm
Stabilité thermique
<2500℃
Modifications de la taille du graphite
-10 ~ -20UM
Épaisseur de revêtement
Valeur typique ≥20UM (35UM ± 10UM)

●  Résistance aux hautes températures


Point de fusion du TaC et stabilité thermochimique : le TaC a un point de fusion supérieur à 3 000 ℃, ce qui le rend stable à des températures extrêmes, ce qui est crucial pour la croissance des monocristaux de SiC.

Performances dans des environnements à températures extrêmes pendant la croissance des monocristaux de SiC** : des études ont montré que le revêtement TaC peut empêcher efficacement l'oxydation du substrat dans des environnements à haute température de 900 à 2 300 ℃, garantissant ainsi la qualité des cristaux de SiC.


●  Résistance à la corrosionposition


Effet protecteur du revêtement TaC sur l'érosion chimique dans les environnements de réaction au carbure de silicium : le TaC peut bloquer efficacement l'érosion des réactifs tels que Si et SiC₂ sur le substrat, prolongeant ainsi la durée de vie des matériaux du champ thermique.


● Exigences de cohérence et de précision


Nécessité d'uniformité du revêtement et de contrôle de l'épaisseur : une épaisseur de revêtement uniforme est cruciale pour la qualité des cristaux, et toute irrégularité peut entraîner une concentration de contraintes thermiques et la formation de fissures.



Revêtement en carbure de tantale (TaC) sur une section microscopique


Partie II: Principaux défis du processus de revêtement TAC CVD


●  Contrôle de la source et de la pureté des matériaux


Problèmes de coût et de chaîne d'approvisionnement des matières premières de tantale à haute pureté: Le prix des matières premières de tantale fluctue considérablement et l'offre est instable, ce qui affecte le coût de production.

Comment les impuretés traces dans le matériau affectent les performances du revêtement: les impuretés peuvent entraîner la détérioration des performances du revêtement, affectant ainsi la qualité des cristaux SIC.


●  Optimisation des paramètres de processus


Contrôle précis de la température, de la pression et du débit de gaz du revêtement : ces paramètres ont un impact direct sur la qualité du revêtement et doivent être finement régulés pour garantir le meilleur effet de dépôt.

Comment éviter les défauts de revêtement sur des substrats de grande surface : Des défauts sont susceptibles de se produire lors d'un dépôt sur de grandes surfaces, et de nouveaux moyens techniques doivent être développés pour surveiller et ajuster le processus de dépôt.


● Adhésion du revêtement


Difficultés d'optimisation des performances d'adhérence entre le revêtement TaC et le substrat : les différences de coefficients de dilatation thermique entre différents matériaux peuvent conduire à un décollement, et des améliorations des adhésifs ou des processus de dépôt sont nécessaires pour améliorer l'adhérence.

Les risques potentiels et les contre-mesures de la démyding du revêtement: le décollement peut entraîner des pertes de production, il est donc nécessaire de développer de nouveaux adhésifs ou d'utiliser des matériaux composites pour améliorer la résistance aux liaisons.


● Maintenance des équipements et stabilité des processus


La complexité et le coût de maintenance des équipements de traitement CVD : L'équipement est coûteux et difficile à entretenir, ce qui augmente le coût de production global.

Les problèmes de cohérence dans le fonctionnement du processus à long terme: le fonctionnement à long terme peut entraîner des fluctuations de performances, et l'équipement doit être calibré régulièrement pour assurer la cohérence.


● Protection de l'environnement et contrôle des coûts


Traitement des sous-produits (tels que des chlorures) pendant le revêtement: les gaz déchets doivent être traités efficacement pour répondre aux normes de protection de l'environnement, ce qui augmente les coûts de production.

Comment équilibrer les performances élevées et les avantages économiques: réduire les coûts de production tout en garantissant la qualité du revêtement est un défi important à laquelle est confronté l'industrie.


Partie III: Solutions de l'industrie et recherche frontalière


● Nouvelle technologie d'optimisation des processus


Utilisez des algorithmes avancés de contrôle CVD pour obtenir une plus grande précision : grâce à l'optimisation des algorithmes, le taux de dépôt et l'uniformité peuvent être améliorés, améliorant ainsi l'efficacité de la production.

L'introduction de nouvelles formules de gaz ou d'additifs pour améliorer les performances du revêtement: des études ont montré que l'ajout de gaz spécifiques peut améliorer l'adhésion du revêtement et les propriétés antioxydantes.


● Percations dans la recherche et le développement matériels


Amélioration des performances du TaC grâce à la technologie des revêtements nanostructurés : Les nanostructures peuvent améliorer considérablement la dureté et la résistance à l'usure des revêtements TaC, améliorant ainsi leurs performances dans des conditions extrêmes.

Matériaux de revêtement synthétiques alternatifs (tels que les céramiques composites) : de nouveaux matériaux composites peuvent offrir de meilleures performances et réduire les coûts de production.


● Automatisation et usines numériques


Surveillance des processus à l'aide de l'intelligence artificielle et de la technologie des capteurs : la surveillance en temps réel peut ajuster les paramètres du processus à temps et améliorer l'efficacité de la production.

Améliorer l'efficacité de la production tout en réduisant les coûts: la technologie d'automatisation peut réduire l'intervention manuelle et améliorer l'efficacité globale de la production.


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