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Support de graphite enduit de tac
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Support de graphite enduit de tac

Le suscepteur en graphite enduit de Vetek Semiconductor Utilise la méthode de dépôt de vapeur chimique (CVD) pour préparer le revêtement de carbure de tantale à la surface des pièces de graphite. Ce processus est le plus mature et possède les meilleures propriétés de revêtement. Le suscepteur en graphite enduit de TAC peut prolonger la durée de vie des composants du graphite, inhiber la migration des impuretés graphites et assurer la qualité de l'épitaxy. Nous attendons avec impatience votre enquête.

Vous êtes invités à venir dans notre usine VeTek Semiconductor pour acheter les dernières ventes, à bas prix et de haute qualité. Nous sommes impatients de coopérer avec vous.

Point de fusion du matériau céramique en carbure de tantale jusqu'à 3880 ℃, est un point de fusion élevé et une bonne stabilité chimique du composé, son environnement à haute température peut toujours maintenir des performances stables, en outre, il a également une résistance à haute température, une résistance à la corrosion chimique, un bon produit chimique et compatibilité mécanique avec les matériaux en carbone et d'autres caractéristiques, ce qui en fait un matériau de revêtement protecteur de substrat en graphite idéal. Le revêtement en carbure de tantale peut protéger efficacement les composants en graphite de l'influence de l'ammoniac chaud, de la vapeur d'hydrogène et de silicium et du métal fondu dans un environnement d'utilisation difficile, prolonger considérablement la durée de vie des composants en graphite et inhiber la migration des impuretés dans le graphite. assurant la qualité de l'épitaxie et de la croissance cristalline. Il est principalement utilisé dans le processus céramique humide.

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est la méthode de préparation la plus aboutie et la plus optimale pour le revêtement de carbure de tantale sur la surface du graphite.


Méthode de revêtement CVD TaC pour le suscepteur en graphite revêtu de TaC :

CVD TaC Coating Method for TaC Coated Graphite Susceptor

Le processus de revêtement utilise respectivement du TaCl5 et du propylène comme source de carbone et de tantale, et de l'argon comme gaz porteur pour amener la vapeur de pentachlorure de tantale dans la chambre de réaction après gazéification à haute température. Sous la température et la pression cibles, la vapeur du matériau précurseur est adsorbée sur la surface de la pièce en graphite et une série de réactions chimiques complexes telles que la décomposition et la combinaison d'une source de carbone et d'une source de tantale se produisent. Parallèlement, une série de réactions de surface telles que la diffusion du précurseur et la désorption des sous-produits sont également impliquées. Enfin, une couche protectrice dense est formée sur la surface de la pièce en graphite, ce qui empêche la pièce en graphite d'être stable dans des conditions environnementales extrêmes. Les scénarios d’application des matériaux graphite sont considérablement élargis.


Paramètre du produit du suscepteur de graphite enduit TAC:

Propriétés physiques du revêtement TaC
Densité 14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique 0.3
Coefficient de dilatation thermique 6,3x10-6/K
Dureté (HK) 2000 Hong Kong
Résistance 1 × 10-5Ohm * cm
Stabilité thermique <2500℃
Modifications de la taille du graphite -10 ~ -20UM
Épaisseur du revêtement Valeur typique ≥20UM (35UM ± 10UM)


Ateliers de production :

VeTek Semiconductor Production Shop


Aperçu de la chaîne de l'industrie de l'épitaxie des puces semi-conductrices:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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