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Anneau d'entrée de revêtement sic
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Anneau d'entrée de revêtement sic

Vetek Semiconductor excelle dans la collaboration étroitement avec les clients pour élaborer des conceptions sur mesure pour une bague d'entrée de revêtement sic adaptée à des besoins spécifiques. Ces anneaux d'entrée de revêtement SIC sont méticuleusement conçus pour diverses applications telles que l'équipement CVD SIC et l'épitaxie en carbure de silicium. Pour les solutions de bague d'entrée de revêtement SIC sur mesure, n'hésitez pas à contacter le semi-conducteur de Vetek pour une assistance personnalisée.

La bague d'entrée de revêtement SIC de haute qualité est offerte par le fabricant de Chine Vetek Semiconductor. Achetez une bague d'entrée de revêtement sic qui est de haute qualité directement à bas prix.

Vetek Semiconductor se spécialise dans la fourniture d'équipements de production avancés et compétitifs adaptés à l'industrie des semi-conducteurs, en se concentrant sur les composants en graphite recouverts de SiC tels que la bague d'entrée de revêtement SiC pour les systèmes SiC-CVD de troisième génération. Ces systèmes facilitent la croissance de couches épitaxiales monocristallines uniformes sur des substrats en carbure de silicium, essentielles à la fabrication de dispositifs de puissance tels que les diodes Schottky, les IGBT, les MOSFET et divers composants électroniques.

L'équipement SiC-CVD fusionne de manière transparente le processus et l'équipement, offrant des avantages notables en termes de capacité de production élevée, de compatibilité avec les tranches de 6/8 pouces, de rentabilité, de contrôle automatique continu de la croissance sur plusieurs fours, de faibles taux de défauts, ainsi qu'une maintenance et une fiabilité pratiques en fonction de la température. et conceptions de contrôle du champ d'écoulement. Lorsqu'il est associé à notre bague d'entrée à revêtement SiC, il améliore la productivité de l'équipement, prolonge la durée de vie opérationnelle et gère efficacement les coûts.

La bague d'entrée de revêtement SIC de Vetek Semiconductor est caractérisée par une pureté élevée, des propriétés de graphite stable, un traitement précis et le bénéfice supplémentaire du revêtement SIC CVD. La stabilité à haute température des revêtements en carbure de silicium protège les substrats de la chaleur et de la corrosion chimique dans des environnements extrêmes. Ces revêtements offrent également une forte résistance à la dureté et à l'usure, garantissant une durée de vie prolongée du substrat, une résistance à la corrosion contre divers produits chimiques, des coefficients de frottement faibles pour des pertes réduites et une conductivité thermique améliorée pour une dissipation de chaleur efficace. Dans l'ensemble, les revêtements en carbure de silicium CVD offrent une protection complète, prolongeant la durée de vie du substrat et améliorant les performances.


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC:

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité 3,21 g/cm³
Dureté 2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W·m-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Ateliers de production :

VeTek Semiconductor Production Shop


Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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