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Anneau d'étanchéité enduit de sic pour l'épitaxy

Anneau d'étanchéité enduit de sic pour l'épitaxy

Notre cycle d'étanchéité enduit de SiC est un composant d'étanchéité haute performance basé sur des composants de graphite ou de carbone-carbone recouvert de carbure de silicium à haute pureté (SiC) par dépôt de vapeur chimique (CVD), qui combine la stabilité thermique du graphite avec la résistance environnementale extrême de la SICV, et est conçue pour l'équipement épitaxien semi-conducteur (e.g., mocvd, mbe).

Ⅰ. Qu'est-ce que le sceau de joint enduit SIC?


SiC coated seal rings for epitaxyLe cycle de joint enduit SIC (anneau de joint enduit de carbure de silicium) est un composant d'étanchéité de précision conçu pour les environnements de processus semi-conducteurs à haute température et hautement corrosifs. Son noyau est par le biais du processus de dépôt chimique de vapeur (CVD) ou de dépôt physique de vapeur (PVD), de surface de substrat de matériau composite de graphite ou de carbone uniformément recouvert d'une couche de revêtement en carbure de silicium de haute pureté (SIC), la formation de la résistance mécanique du substrat et du revêtement des propriétés d'étanchéité haute performance.  


Ⅱ. Composition des produits et technologie de base  


1. Matériel de substrat:


Matériau composite en graphite ou en carbone-carbone: Le matériau de base a l'avantage d'une résistance à la chaleur élevée (peut résister à plus de 2000 ℃) et à un faible coefficient d'expansion thermique, assurant ainsi une stabilité dimensionnelle dans des conditions extrêmes telles que la température élevée.  

Structure d'usinage de précision: La conception de la bague de précision peut être parfaitement adaptée à la cavité de l'équipement semi-conducteur, assurant ainsi la planéité de la surface d'étanchéité et une bonne étanche.  


2. Revêtement fonctionnel:  

Revêtement SIC de haute pureté (pureté ≥99,99%): L'épaisseur de coaing est généralement de 10 à 50 μm, à travers le processus de MCV pour former une couche de structure de surface non poreuse dense, donnant à la surface de l'anneau d'étanchéité une excellente inertie chimique et des propriétés mécaniques.


Ⅲ. Propriétés et avantages physiques de base


Les anneaux d'étanchéité enduits de SiC de VetekSEMICON sont idéaux pour les processus d'épitaxie semi-conducteurs en raison de leurs excellentes performances dans des conditions extrêmes. Voici les propriétés physiques spécifiques du produit:


Caractéristiques
Analyse des avantages
Résistance à haute température
Résistance à long terme à des températures élevées au-dessus de 1600 ° C sans oxydation ni déformation (les joints métalliques traditionnels échouent à 800 ° C).
Résistance à la corrosion
Résistant aux gaz corrosifs tels que H₂, HCl, Cl₂ et d'autres gaz corrosifs, pour éviter la détérioration de la surface d'étanchéité due à la réaction chimique.
Résistance élevée à la dureté et à l'abrasion
La dureté de surface atteint HV2500 ou supérieure, réduisant les particules de rayures et prolonge la durée de vie (3-5 fois plus élevée que le cycle de graphite).
Coefficient de frottement faible
Réduisez l'usure de la surface d'étanchéité et réduisez la consommation d'énergie de frottement lorsque l'équipement commence et s'arrête.
Haute conductivité thermique
Conduit la chaleur uniformément (conductivité thermique SIC ≈ 120 W / M-K), évitant une surchauffe localisée conduisant à une couche épitaxiale inégale.



Iv. Applications de base dans le traitement de l'épitaxie semi-conducteur  


La bague d'étanchéité enrobée SIC est principalement utilisée dans le MOCVD (dépôt de vapeur chimique organique métallique) et le MBE (épitaxie du faisceau moléculaire) et d'autres équipements de processus, les fonctions spécifiques comprennent:  


1. Protection de resserrement de la chambre de réaction de l'équipement semi-conducteur Protection d'air


Nos anneaux d'étanchéité enduits de SiC garantissent que les tolérances dimensionnelles (généralement à moins de ± 0,01 mm) de l'interface avec la chambre d'équipement (par exemple la bride, l'arbre de base) sont aussi petites que possible en personnalisant la structure de la bague. 


Dans le même temps, l'anneau d'étanchéité est usiné à l'aide de machines CNC pour assurer un ajustement uniforme autour de toute la circonférence de la surface de contact, éliminant les lacunes microscopiques. Cela empêche efficacement la fuite des gaz de processus (par exemple H₂, NH₃), assure la pureté de l'environnement de croissance de la couche épitaxiale et améliore le rendement de la tranche.  


SiC Ceramic Seal Ring

D'un autre côté, une bonne tenue de gaz peut également bloquer l'intrusion de polluants externes (O₂, H₂O), évitant ainsi efficacement les défauts dans la couche épitaxiale (telles que les luxations, le dopage inégal des impuretés).  


2. Support de scellage dynamique à haute température  

 

L'adoption du principe de l'anti-déformation synergique de la revêtement de substrat: en raison du faible coefficient d'expansion thermique du substrat de graphite (CTE ≈ 4,5 × 10- ⁶ / ° C) est très faible, et à des températures extrêmes élevées (> 1000 ℃), l'expansion n'est que 1/5 de la quantité de scellons métalliques, ce qui a donc effectivement permis de la séparation de la surface Srende. Combiné avec la dureté ultra-élevée du revêtement SIC (HV2500 ou plus), il peut résister efficacement aux rayures sur la surface d'étanchéité causée par des vibrations mécaniques ou l'impact des particules, et maintenir la planéité microscopique.





V. Recommandations de maintenance


1. Vérifiez régulièrement l'usure de la surface d'étanchéité (l'inspection trimestrielle du microscope optique est recommandée) pour éviter une défaillance soudaine.  


2. Utilisez des nettoyeurs spéciaux (comme l'éthanol anhydre) pour éliminer les dépôts, interdire le broyage mécanique pour éviter d'endommager le revêtement SIC.


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