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Anneau de préchauffage
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Anneau de préchauffage

L'anneau de préchauffage est utilisé dans le processus d'épitaxie des semi-conducteurs pour préchauffer les tranches et rendre la température des tranches plus stable et uniforme, ce qui est d'une grande importance pour la croissance de haute qualité des couches d'épitaxie. Vetek Semiconductor contrôle strictement la pureté de ce produit pour empêcher la volatilisation des impuretés à haute température. Bienvenue pour avoir une discussion plus approfondie avec nous.

L'anneau de préchauffage est un équipement clé spécialement conçu pour le processus d'épitaxie (EPI) dans la fabrication de semi-conducteurs. Il est utilisé pour préchauffer les tranches avant le processus EPI, garantissant ainsi la stabilité et l'uniformité de la température tout au long de la croissance épitaxiale.


Fabriqué par VeTek Semiconductor, notre anneau de préchauffage EPI offre plusieurs caractéristiques et avantages notables. Premièrement, il est construit à l’aide de matériaux à haute conductivité thermique, permettant un transfert de chaleur rapide et uniforme vers la surface de la tranche. Cela évite la formation de points chauds et de gradients de température, garantissant un dépôt cohérent et améliorant la qualité et l'uniformité de la couche épitaxiale. De plus, notre anneau EPI pré-chaleur est équipé d'un système de contrôle de température avancé, permettant un contrôle précis et cohérent de la température de préchauffage. Ce niveau de contrôle améliore la précision et la répétabilité des étapes cruciales telles que la croissance cristalline, le dépôt de matériaux et les réactions d'interface pendant le processus EPI.


La durabilité et la fiabilité sont des aspects essentiels de la conception de nos produits. L'anneau de préchauffage EPI est conçu pour résister à des températures et des pressions de fonctionnement élevées, maintenant ainsi la stabilité et les performances sur des périodes prolongées. Cette approche de conception réduit les coûts de maintenance et de remplacement, garantissant ainsi une fiabilité et une efficacité opérationnelle à long terme. L'installation et le fonctionnement de l'anneau de pré-chaleur EPI sont simples, car il est compatible avec l'équipement EPI commun. Il dispose d'un mécanisme de placement et de récupération convivial, améliorant la commodité et l'efficacité opérationnelle.


Chez Vetek Semiconductor, nous proposons également des services de personnalisation pour répondre aux exigences spécifiques des clients. Cela comprend l'adaptation de la taille, de la forme et de la plage de température de l'anneau EPI pré-chaleur pour s'aligner sur les besoins de production uniques. Pour les chercheurs et les fabricants impliqués dans la croissance épitaxiale et la production de dispositifs à semi-conducteurs, l'anneau de préchauffage EPI de VeTek Semiconductor offre des performances exceptionnelles et un support fiable. Il constitue un outil essentiel pour obtenir une croissance épitaxiale de haute qualité et faciliter des processus de fabrication efficaces de dispositifs semi-conducteurs.


DONNÉES SEM DU FILM CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité de revêtement sic 3,21 g / cm³
Dureté de revêtement sic 2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de jeunes Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1


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