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Ce blog prend "Qu'est-ce que la croissance des cristaux en carbure de silicium?" Comme thème et fournit une analyse détaillée de quatre dimensions: le principe de la croissance des cristaux de carbure de silicium, la structure cristalline du SIC, la méthode de transport de vapeur physique (PVT) et la croissance du flux de pas pour développer un seul cristal.

Ce blog prend "Quel est le processus épitaxial?" comme thème, et fournit une analyse détaillée des dimensions de l'aperçu des processus épitaxiaux, des types d'épitaxie, des facteurs influençant le processus EPI, des techniques de croissance épitaxiale, des modes de croissance de l'EPI et de l'importance de la croissance de l'épitaxie.

Avec le thème de «Comment réaliser une croissance des cristaux de haute qualité? - SIC Crystal Growth Furnace», ce blog effectue une analyse détaillée de quatre dimensions: le principe de base du four à croissance cristalline en carbure de silicium, la structure du four à croissance cristalline en carbure de silicium pour la croissance des crimatiques de haute qualité en carbure de carbure de silicon.

Les quatre fabricants de graphite les plus puissants du monde: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen et leurs zones de graphite et d'application typiques correspondantes.

L'article décrit les excellentes propriétés physiques du feutre du carbone, les raisons spécifiques du choix du revêtement SIC et la méthode et le principe du revêtement SIC sur le feutre du carbone. Il analyse également spécifiquement l'utilisation du diffractomètre à rayons X avancée D8 (XRD) pour analyser la composition de phase du feutre en carbone de revêtement SIC.

Les principales méthodes de croissance des monocristaux SIC sont: le transport physique de vapeur (PVT), le dépôt de vapeur chimique à haute température (HTCVD) et la croissance de la solution à haute température (HTSG).