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L'article décrit les excellentes propriétés physiques du feutre du carbone, les raisons spécifiques du choix du revêtement SIC et la méthode et le principe du revêtement SIC sur le feutre du carbone. Il analyse également spécifiquement l'utilisation du diffractomètre à rayons X avancée D8 (XRD) pour analyser la composition de phase du feutre en carbone de revêtement SIC.

Les principales méthodes de croissance des monocristaux SIC sont: le transport physique de vapeur (PVT), le dépôt de vapeur chimique à haute température (HTCVD) et la croissance de la solution à haute température (HTSG).

Avec le développement de l'industrie solaire photovoltaïque, les fours de diffusion et les fours LPCVD sont le principal équipement de la production de cellules solaires, ce qui affecte directement les performances efficaces des cellules solaires. Sur la base des performances complètes du produit et du coût d'utilisation, les matériaux en céramique en carbure de silicium présentent plus d'avantages dans le domaine des cellules solaires que les matériaux de quartz. L'application de matériaux en céramique en carbure de silicium dans l'industrie photovoltaïque peut grandement aider les entreprises photovoltaïques à réduire les coûts d'investissement des matériaux auxiliaires, à améliorer la qualité et la compétitivité des produits. La tendance future des matériaux en céramique en carbure de silicium dans le champ photovoltaïque est principalement vers une pureté plus élevée, une capacité de charge plus forte, une capacité de charge plus élevée et un coût plus faible.

L'article analyse les défis spécifiques auxquels sont confrontés le processus de revêtement TAC CVD pour la croissance unique du SIC pendant le traitement des semi-conducteurs, tels que la source de matériaux et le contrôle de la pureté, l'optimisation des paramètres du processus, l'adhésion du revêtement, la maintenance de l'équipement et la stabilité des processus, la protection de l'environnement et le contrôle des coûts, comme ainsi que les solutions de l'industrie correspondantes.

Du point de vue de l'application de la croissance monocristalline de SiC, cet article compare les paramètres physiques de base du revêtement TaC et du revêtement SIC, et explique les avantages fondamentaux du revêtement TaC par rapport au revêtement SiC en termes de résistance à haute température, de forte stabilité chimique, de réduction des impuretés et des coûts inférieurs.

Il existe de nombreux types d'équipements de mesure dans l'usine Fab. L'équipement commun comprend l'équipement de mesure des processus de lithographie, l'équipement de mesure des processus de gravure, l'équipement de mesure du processus de dépôt de couches minces, l'équipement de mesure du processus de dopage, l'équipement de mesure du processus CMP, l'équipement de détection de particules de plaquette et d'autres équipements de mesure.