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Les principales méthodes de croissance du carbure de silicium (SiC) incluent le PVT, le TSSG et le HTCVD, chacune présentant des avantages et des défis distincts. Les matériaux de champ thermique à base de carbone tels que les systèmes d'isolation, les creusets, les revêtements TaC et le graphite poreux améliorent la croissance cristalline en offrant stabilité, conductivité thermique et pureté, essentielles à la fabrication et à l'application précises du SiC.

Le SiC présente une dureté, une conductivité thermique et une résistance à la corrosion élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement CVD SiC est créé par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique et une constante de réseau adaptée à la croissance épitaxiale. Sa faible dilatation thermique et sa dureté élevée garantissent durabilité et précision, ce qui le rend essentiel dans des applications telles que les supports de plaquettes, les anneaux de préchauffage, etc. VeTek Semiconductor est spécialisé dans les revêtements SiC personnalisés pour divers besoins industriels.

Le carbure de silicium (SIC) est un matériau semi-conducteur de haute précision connu pour ses excellentes propriétés comme une résistance à haute température, une résistance à la corrosion et une forte résistance mécanique. Il a plus de 200 structures cristallines, le 3C-SIC étant le seul type cube, offrant une sphéricité et une densification naturelles supérieures par rapport à d'autres types. 3C-SIC se distingue par sa forte mobilité électronique, ce qui le rend idéal pour les MOSFET dans l'électronique de puissance. De plus, il montre un grand potentiel dans la nanoélectronique, les LED bleues et les capteurs.

Diamond, un «semi-conducteur ultime» potentiel de quatrième génération, attire l'attention dans les substrats de semi-conducteurs en raison de sa dureté exceptionnelle, de la conductivité thermique et de ses propriétés électriques. Bien que ses défis à coût élevé et à production limitent son utilisation, la MCV est la méthode préférée. Malgré le dopage et les défis de cristal à grande surface, Diamond est prometteur.

SIC et GAn sont des semi-conducteurs de bande interdite larges avec des avantages par rapport au silicium, tels que des tensions de panne plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et une efficacité supérieure. Le SIC est meilleur pour les applications à haute tension et haute puissance en raison de sa conductivité thermique plus élevée, tandis que Gan excelle dans les applications à haute fréquence grâce à sa mobilité électronique supérieure.

L'évaporation par faisceau d'électrons est une méthode de revêtement très efficace et largement utilisée par rapport au chauffage par résistance, qui chauffe le matériau d'évaporation avec un faisceau d'électrons, le faisant se vaporiser et se condenser en un film mince.