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Le bloc SIC de VetekSemicon est conçu pour le broyage à haute efficacité et l'amincissement des tranches de silicium et de saphir. Avec une excellente conductivité thermique (≥120 W / m · K), une résistance élevée aux chocs thermiques et une résistance à l'usure supérieure (MOHS ≥9), nos blocs améliorent la stabilité du processus et réduisent la fréquence des changements d'outils. Disponible en tailles de 120 mm à 480 mm, avec des options personnalisées et une livraison rapide pour répondre à divers besoins de production.

VetekSeMICON propose des blocs de carbure de silicium à haute performance (SIC), conçus pour répondre aux exigences rigoureuses des processus avancés de broyage et d'amincissement dans les industries semi-conductrices et LED.


Ⅰ. Applications clés


Les blocs Veteksemicon SIC sont idéaux pour:


Processus de meulage des plaquettes de silicium semi-conductrices: Atteignez des surfaces ultra-flat et sans dommages essentielles pour les étapes de fabrication ultérieures et les performances de l'appareil.

Processus de broyage des tranches de saphir LED: Assurer un retrait précis des matériaux et une excellente finition de surface sur des substrats saphir durs et cassants, crucial pour l'efficacité LED.

Processus d'amincissement des plaquettes LED: Faciliter un amincissement efficace et contrôlé, optimisant les propriétés optiques et électriques des dispositifs LED.


Ⅱ. Caractéristiques essentielles pour les performances supérieures


Nos blocs SIC sont méticuleusement conçus pour fournir des résultats exceptionnels, avec:


Bonne conductivité thermique: Dispose efficacement la chaleur générée pendant le broyage, empêchant les dommages thermiques aux plaquettes et le maintien de la stabilité du processus.

Bonne résistance aux chocs thermiques: Résiste aux changements de température rapide inhérents aux processus de broyage, à prolonger la durée de vie du bloc et à réduire les temps d'arrêt. Nos blocs SIC présentent généralement une résistance aux chocs thermiques allant jusqu'à 250∘C sans dégradation significative.

Bonne résistance à l'abrasion: Fournit une dureté et une résistance à l'usure exceptionnelles, assurant des taux d'élimination des matériaux cohérents et une durée de vie de bloc prolongée. Notre matériau SIC a généralement une dureté Vickers d'environ 2500 HV.


Ⅲ. Spécifications techniques (valeurs typiques)


Voici quelques propriétés physiques typiques de nos blocs SIC:


Matériel: Carbure de silicium fritté (sic)

Densité:> 3,10 g / cm3

Porosité: <0,1%

Force de flexion (MOR):> 450 MPA

Module de Young:> 400 GPA

Coefficient de dilatation thermique: ≈4,5 × 10−6 /C (à 20-1000C)


Ⅳ. Pourquoi choisir Vetek SIC Blocks?


VetekSemicon s'engage à offrir une expérience de produit et de service supérieure. Voici pourquoi nous sommes le choix préféré pour vos besoins en blocs SIC:


Spécifications et personnalisation diverses: Nous offrons une large gamme de spécifications standard pour s'adapter à divers équipements et processus. Au-delà de notre vaste stock, nous fournissons des services personnalisés pour répondre à vos besoins uniques, garantissant un ajustement parfait pour vos applications spécialisées.


Qualité stable et livraison rapide: Nos processus de fabrication respectent les normes strictes de contrôle de la qualité, garantissant des performances cohérentes à chaque bloc. Nous maintenons une chaîne d'approvisionnement robuste pour garantir une livraison rapide et fiable, minimisant vos délais.


Propriétés physiques du carbure de silicium fritté

Propriétés physiques du carbure de silicium fritté
Propriété
TypiqueValeur
Composition chimique
Sic> 95% et <5%
Densité en vrac
> 3,1 g / cm³
Porosité apparente
<0,1%
Module de rupture à 20 ℃
450 MPA
Module de rupture à 1200 ℃
470 MPA
Dureté à 20 ℃
2400 kg / mm²
Fracture de la ténacité à 20%
3,3 MPa · m1/2
Conductivité thermique à 1200 ℃
45 w / m .k
Extension thermique à 20-1200 ℃
4.51 × 10-6 / ℃
Température de travail maximale
1400 ℃
Résistance aux chocs thermiques à 1200 ℃
Bien

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Balises actives: Éclairage à plaquette LED, moulin à plaquette saphir, plaque de broyage sic, processus arrière semi-conducteur
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