Graphite poreux recouvert de carbure de tantale

Le graphite poreux revêtu de carbure de carbure de carbure de carbure de carbure est devenu un cristal de carbure de silicium (SIC) en raison de sa résistance à la température super élevée (point de fusion autour de 3880 ° C), excellente stabilité thermique, résistance mécanique et inertie chimique dans des environnements à haute température. Un matériau indispensable dans le processus de croissance. En particulier, sa structure poreuse offre de nombreux avantages techniques pour leprocessus de croissance cristalline. 

Ce qui suit est une analyse détaillée deGraphite poreux recouvert de carbure de tantaleRôle principal:

● Améliorer l'efficacité du flux de gaz et contrôler avec précision les paramètres du processus

La structure microporeuse du graphite poreux peut favoriser la distribution uniforme des gaz de réaction (comme le gaz carbure et l'azote), optimisant ainsi l'atmosphère dans la zone de réaction. Cette caractéristique peut éviter efficacement des problèmes d'accumulation de gaz locaux ou de turbulence, garantir que les cristaux SIC sont également stressés tout au long du processus de croissance et que le taux de défaut est considérablement réduit. Dans le même temps, la structure poreuse permet également un ajustement précis des gradients de pression de gaz, d'optimiser davantage les taux de croissance des cristaux et d'améliorer la cohérence des produits.

●  Réduire l’accumulation de contraintes thermiques et améliorer l’intégrité des cristaux

Dans les opérations à haute température, les propriétés élastiques du carbure de tantale poreux (TAC) atténuent considérablement les concentrations de contrainte thermique causées par les différences de température. Cette capacité est particulièrement importante lors de la croissance des cristaux SIC, réduisant le risque de formation de fissures thermiques, améliorant ainsi l'intégrité de la structure cristalline et de la stabilité du traitement.

●  Optimiser la distribution de la chaleur et améliorer l'efficacité de l'utilisation de l'énergie

Le revêtement en carbure de tantale confère non seulement au graphite poreux une conductivité thermique plus élevée, mais ses caractéristiques poreuses peuvent également répartir la chaleur uniformément, garantissant une répartition très constante de la température dans la zone de réaction. Cette gestion thermique uniforme est la condition essentielle pour produire du cristal SiC de haute pureté. Cela peut également améliorer considérablement l’efficacité du chauffage, réduire la consommation d’énergie et rendre le processus de production plus économique et efficace.

●  Améliore la résistance à la corrosion et prolonge la durée de vie des composants

Les gaz et sous-produits présents dans des environnements à haute température (tels que l'hydrogène ou la phase vapeur de carbure de silicium) peuvent provoquer une grave corrosion des matériaux. Le revêtement TaC fournit une excellente barrière chimique au graphite poreux, réduisant considérablement le taux de corrosion du composant, prolongeant ainsi sa durée de vie. De plus, le revêtement assure la stabilité à long terme de la structure poreuse, garantissant que les propriétés de transport des gaz ne soient pas affectées.

●  Bloque efficacement la diffusion des impuretés et assure la pureté cristalline

La matrice de graphite non enrobée peut libérer des traces d'impuretés, et le revêtement TAC agit comme une barrière d'isolement pour empêcher ces impuretés de se diffuser dans le cristal SIC dans un environnement à haute température. Cet effet de blindage est essentiel pour améliorer la pureté des cristaux et contribuer à répondre aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs pour les matériaux SIC de haute qualité.

Le graphite poreux recouvert de carbure de tantale de VeTek semi-conducteurs améliore considérablement l'efficacité du processus et la qualité des cristaux en optimisant le flux de gaz, en réduisant le stress thermique, en améliorant l'uniformité thermique, en renforçant la résistance à la corrosion et en inhibant la diffusion des impuretés pendant le processus de croissance des cristaux SiC. L’application de ce matériau garantit non seulement une précision et une pureté élevées dans la production, mais réduit également considérablement les coûts d’exploitation, ce qui en fait un pilier important de la fabrication moderne de semi-conducteurs.

Plus important encore, Veteksemi s'est engagé depuis longtemps à fournir des technologies de pointe et des solutions de produits à l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs, et prend en charge les services de produits en graphite poreux enrobé de carbure de Tantalum personnalisés. Nous sommes sincèrement impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

Propriétés physiques du revêtement en carbure de tantale

Ateliers de production de graphite poreux recouvert de carbure de tantale de semi-conducteurs VeTek