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Silicon sur la plaquette d'isolateur
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Silicon sur la plaquette d'isolateur

Vetek Semiconductor est un fabricant chinois professionnel de silicium sur Isolateur Wafer. Le silicium sur la plaquette d'isolateur est un important matériau de substrat de semi-conducteur, et ses excellentes caractéristiques du produit en font un rôle clé dans les applications RF à haute performance, à faible puissance, à haute intégration et RF. Dans l'attente de votre consultation.

Le principe de travail deIt semi-conducteur«Silicon sur la plaquette d'isolateurrepose principalement sur sa structure unique et ses propriétés de matériau. Et Soi Waferse compose de trois couches: la couche supérieure est une couche de dispositif de silicium monocristallé, le milieu est une couche d'oxyde enfouie isolante (boîte), et la couche inférieure est un substrat de silicium supportant.

Silicon On Insulator Wafers(SOI) Structure

La structure du silicium sur les plaquettes d'isolateur (SOI)


Formation de la couche d'isolation: Le silicium sur la tranche d'isolant est généralement fabriqué à l'aide de la technologie Smart Cut ™ ou de la technologie Simox (séparation par oxygène implanté). La technologie Smart Cut ™ injecte des ions hydrogène dans la plaquette de silicium pour former une couche de bulles, puis lie la tranche d'injection d'hydrogène au silicium de supporttranche



Après traitement thermique, la tranche d'injection d'hydrogène est divisée de la couche de bulle pour former une structure SOI.Technologie SimoxImplants Ions d'oxygène à haute énergie dans des plaquettes de silicium pour former une couche d'oxyde de silicium à des températures élevées.


Réduire la capacité parasite: Le calque de la boîte duBafonce en carbure de siliciumisole efficacement la couche de l'appareil et le silicium de base, réduisant considérablementG Capacité parasite. Cette isolement réduit la consommation d'énergie et augmente la vitesse et les performances de l'appareil.




Évitez les effets de verrouillage: Les appareils Nell et p-pell dans leSoi Wafersont complètement isolés, évitant l'effet de verrouillage dans les structures CMOS traditionnelles. Cela permetWafer Soi à fabriquer à des vitesses plus élevées.


Fonction d'arrêt de gravure: LeCouche de dispositif de silicium monocristallantEt la structure de la couche de boîte de la plaquette SOI facilite la fabrication de MEMS et de dispositifs optoélectroniques, offrant une excellente fonction d'arrêt de gravure.


À travers ces caractéristiques,Silicon sur la plaquette d'isolateurjoue un rôle important dans le traitement des semi-conducteurs et favorise le développement continu du circuit intégré (IC) etSystèmes microélectromécaniques (MEMS)industries. Nous sommes sincèrement impatients de poursuivre la communication et la coopération avec vous.


Le paramètre de spécification de WAVERS de 200 mm::


                                                                                                      Spécification des Wakers Sol 200 mm
Non
Description
Valeur
                                                                                                                  Couche de silicium de l'appareil
1.1 Épaisseur
220 nm +/- 10 nm
1.2 Méthode de production
CZ
1.3 Orientation cristalline
<100>
1.4 Type de conductivité p
1.5 Dopant Bore
1.6 Moyenne de résistivité
8,5 - 11,5 0hm * cm
1.7 RMS (2x2 um)
<0,2
1.8 LPD (taille> 0,2)
<75
1.9 Grands défauts supérieurs à 0,8 microns (zone)
<25
1.10

Pouce de bord, rayures, fissure, fossette / fosse, brume, peau d'orange (inspection visuelle)

0
1.11 Vides de liaison: inspection visuelle> 0,5 mm de diamètre
0



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