Pomme de douche en carbure de silicium

La pomme de douche en carbure de silicium en silicium Vetek semi-conducteur est principalement en sic. Dans le traitement des semi-conducteurs, la fonction principale de la pomme de douche en carbure de silicium est de distribuer uniformément le gaz de réaction pour assurer la formation d'un film uniforme pendantDépôt de vapeur chimique (CVD)ouDépôt de vapeur physique (PVD)processus. En raison des excellentes propriétés du SIC telles que la conductivité thermique élevée et la stabilité chimique, la pomme de douche SIC peut fonctionner efficacement à des températures élevées, réduire l'inégalité du débit de gaz pendant leprocessus de dépôt, et ainsi améliorer la qualité de la couche de film.

La pomme de douche en carbure de silicium peut répartir uniformément le gaz de réaction par plusieurs buses avec la même ouverture, assurer un débit de gaz uniforme, éviter les concentrations locales trop élevées ou trop faibles, et ainsi améliorer la qualité du film. Combiné avec l'excellente résistance à haute température et stabilité chimique deCvd sic, aucune particules ou contaminants n'est libéré pendant leprocessus de dépôt de films, ce qui est essentiel pour maintenir la pureté du dépôt de film.

Matrice de performance de base

Indicateurs clés Normes de test des spécifications techniques

Matériau de base 6n Grade Déposition de vapeur chimique en carbure de silicium semi F47-0703

Conductivité thermique (25 ℃) 330 W / (M · K) ± 5% ASTM E1461

Plage de températures de fonctionnement -196 ℃ ~ 1650 ℃ Méthode MIL-STD-883 stabilité du cycle

Précision d'usinage de l'ouverture ± 0,005 mm (technologie d'usinage de microhole laser) ISO 286-2

Rugosité de surface RA ≤0,05 μm (traitement de qualité miroir) JIS B 0601: 2013

Avantage d'innovation à triple processus

Contrôle du flux d'air à l'échelle nanométrique

1080 Hole Matrix Design: adopte une structure en nid d'abeille asymétrique pour obtenir une uniformité de distribution de gaz de 95,7% (données mesurées)

Technologie d'ouverture du gradient: anneau extérieur de 0,35 mm → Disposition progressive du centre de 0,2 mm, éliminant l'effet de bord

Protection de dépôt de contamination zéro

Traitement de surface ultra-nettoyé:

La gravure du faisceau d'ions supprime la couche endommagée souterraine

Dépôt de couche atomique (Ald) Al₂o₃ Film protecteur (facultatif)

Stabilité mécanique thermique

Coefficient de déformation thermique: ≤0,8 μm / m · ℃ (73% inférieur aux matériaux traditionnels)

Passé 3000 tests de choc thermique (RT↔1450 ℃ Cycle)

Données SEM deCVD SIC Film Structure cristalline：

Propriétés physiques de base de la MCV Revêtement sic：

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