Technologie et solutions

La sélection du bon revêtement CVD SiC, TaC ou Solid SiC détermine directement les niveaux de particules et la durée de vie des composants sur les lignes d'épitaxie/gravure. Cet article fournit des limites de sélection claires par température, atmosphère et processus, associées aux principales solutions de remplacement d'équipement et à des indicateurs clés, pour vous aider à prendre des décisions rapides et à réduire les risques.

Découvrez comment la technologie laser guidée par eau de VeTek permet d'obtenir des trous traversants uniformes de Φ0,15 mm dans des substrats SiC de 2 mm sans conicité, une ZAT minimale et un rendement élevé pour les applications de semi-conducteurs.

Le problème technique le plus difficile pour les broches de levage creuses des équipements semi-conducteurs n'est pas le revêtement de la surface externe, mais l'obtention d'un revêtement CVD stable et uniforme sur la paroi interne de la structure creuse. Du contrôle de l’uniformité du revêtement des parois internes à l’assurance de la propreté des alésages internes, chaque étape du processus affecte directement le rendement de la tranche. Cet article analyse les principaux défis du revêtement de la paroi intérieure des broches de levage creuses et les principales voies techniques.