Des produits

Revêtement en carbure de silicium

VeTek Semiconductor se spécialise dans la production de produits de revêtement en carbure de silicium ultra purs, ces revêtements sont conçus pour être appliqués sur des composants en graphite purifié, en céramique et en métal réfractaire.


Nos revêtements de haute pureté sont principalement destinés à être utilisés dans les industries des semi-conducteurs et de l'électronique. Ils servent de couche protectrice pour les supports de tranches, les suscepteurs et les éléments chauffants, les protégeant des environnements corrosifs et réactifs rencontrés dans des processus tels que MOCVD et EPI. Ces processus font partie intégrante du traitement des plaquettes et de la fabrication des dispositifs. De plus, nos revêtements sont bien adaptés aux applications dans les fours à vide et le chauffage d'échantillons, où l'on rencontre des environnements sous vide poussé, réactifs et oxygénés.


Chez VeTek Semiconductor, nous proposons une solution complète grâce à nos capacités avancées d'atelier d'usinage. Cela nous permet de fabriquer les composants de base en graphite, en céramique ou en métaux réfractaires et d'appliquer les revêtements céramiques SiC ou TaC en interne. Nous fournissons également des services de revêtement pour les pièces fournies par le client, garantissant ainsi la flexibilité nécessaire pour répondre à divers besoins.


Nos produits de revêtement en carbure de silicium sont largement utilisés dans l'épitaxie Si, l'épitaxie SiC, le système MOCVD, le processus RTP/RTA, le processus de gravure, le processus de gravure ICP/PSS, le processus de divers types de LED, y compris les LED bleues et vertes, les LED UV et les UV profonds. LED etc., adaptée aux équipements de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.


Pièces de réacteur que nous pouvons réaliser :


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Revêtement en carbure de silicium plusieurs avantages uniques :

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Paramètre de revêtement en carbure de silicium VeTek Semiconductor

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Revêtement SiC Densité 3,21 g/cm³
Revêtement SiCDureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de Young Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1

STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



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