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SiC Coating Collector Bottom
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SiC Coating Collector Bottom

Avec notre expertise dans la fabrication de revêtement CVD SIC, Vetek Semiconductor présente fièrement le fond, le centre et le haut du collecteur de revêtement Aixtron SIC. Ces fond de collecteur de revêtement SIC sont construits en utilisant du graphite de haute pureté et sont enduits de CVD SIC, garantissant une impureté inférieure à 5 ppm. N'hésitez pas à nous contacter pour plus d'informations et de demandes de renseignements.

Vetek Semiconductor est un fabricant engagé à fournir une qualité de haute qualitéRevêtement TAC CVDet CVD SIC Coating Collector Bottom et travaillent en étroite collaboration avec l'équipement Aixtron pour répondre aux besoins de nos clients. Que ce soit dans l'optimisation des processus ou le développement de nouveaux produits, nous sommes prêts à vous fournir un support technique et à répondre à toutes les questions que vous pourriez avoir.

Fonction de base du produit

Garantie de stabilité du processus

Contrôle du gradient de température: ±1,5℃/cm@1200℃


Optimisation du champ d'écoulement: la conception spéciale du canal fait de l'uniformité de distribution de gaz de réaction jusqu'à 92,6%


Mécanisme de protection de l'équipement

Double protection:


Tampon de choc thermique: résister à 10 ℃ / s Changement de température rapide


Interception des particules: piégeage> 0,3 μm de sédiments Particules


Dans le domaine de la technologie de pointe

Direction de l'application
Paramètres de processus spécifiques
Valeur client
Grade IGBT
10 ^ 17 / cm³ Doping Uniformité  Le rendement a augmenté de 8 à 12%
Appareil RF 5G
Rugosité de surface <0,15 nm de PR
La mobilité des transporteurs a augmenté de 15%
Équipement PV HJT  Test de vieillissement anti-PID> 3000 cycles
Cycle de maintenance de l'équipement prolongé à 9000 heures

Contrôle de la qualité du processus entier

Système de traçabilité de production

Source de matières premières: Tokai / Toyo Graphite du Japon, SGL Graphite d'Allemagne

Surveillance du jumeau numérique: chaque composant est adapté à une base de données de paramètres de processus indépendante


Scénario d'application:

Fabrication de semi-conducteurs de troisième génération

Scénario: croissance épitaxiale de 6 pouces (contrôle d'épaisseur de 100-150))

Modèle compatible: Aixtron G5 WW / Crius II




En utilisant le haut collecteur enduit Aixtron SIC, le Centre de collecteur et le collecteur en revêtement SIC, la gestion thermique et la protection des produits chimiques dans les processus de fabrication de semi-conducteurs peuvent être obtenues, l'environnement de croissance du film peut être optimisé et la qualité et la cohérence du film peuvent être améliorées. La combinaison de ces composants dans l'équipement Aixtron assure des conditions de processus stables et une production efficace de semi-conducteurs.




Données SEM du film CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité 3,21 g / cm³
Dureté 2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPA RT 4 points
Module de jeunes 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Aperçu du semi-conducteur Chaîne de l'industrie de l'épitaxie de la puce

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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