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CVD TAC TACAT RING
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CVD TAC TACAT RING

Dans l'industrie des semi-conducteurs, le cycle de revêtement CVD TAC est un composant très avantageux conçu pour répondre aux exigences exigeantes des processus de croissance des cristallins en carbure de silicium (SIC). Le cycle de revêtement CVD TAC de Vetek Semiconductor fournit une résistance à haute température exceptionnelle et une inertie chimique, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements caractérisés par des températures élevées et des conditions corrosives. PLS n'hésitez pas à nous contacter pour plus de questions.

Le cycle de revêtement TAC VetekSeMICON est un composant critique pour une croissance monocristalline de carbure de silicium réussi. Avec sa résistance à haute température, son inertie chimique et ses performances supérieures, il assure la production de cristaux de haute qualité avec des résultats cohérents. Faites confiance à nos solutions innovantes pour élever votre méthode PVT SIC Crystal Growth des processus et obtenir des résultats exceptionnels.


SiC Crystal Growth Furnace

Au cours de la croissance des monocristaux de carbure de silicium, l'anneau de revêtement en carbure de Tantalum CVD joue un rôle crucial dans l'assurance des résultats optimaux. Ses dimensions précises et le revêtement TAC de haute qualité permettent une distribution de température uniforme, minimisant la contrainte thermique et favorisant la qualité des cristaux. La conductivité thermique supérieure du revêtement TAC facilite une dissipation de chaleur efficace, contribuant à améliorer les taux de croissance et à améliorer les caractéristiques cristallines. Sa construction robuste et son excellente stabilité thermique assurent des performances fiables et une durée de vie prolongée, réduisant le besoin de remplacements fréquents et minimisant les temps d'arrêt de la production.


L'inertie chimique du cycle de revêtement TAC CVD est essentielle pour prévenir les réactions indésirables et la contamination pendant le processus de croissance des cristaux SIC. Il fournit une barrière protectrice, en maintenant l'intégrité du cristal et en minimisant les impuretés. Cela contribue à la production de monocristaux de haute qualité et sans défaut avec d'excellentes propriétés électriques et optiques.


En plus de ses performances exceptionnelles, le cycle de revêtement CVD TAC est conçu pour une installation et une maintenance faciles. Sa compatibilité avec l'équipement existant et l'intégration transparente garantissent un fonctionnement rationalisé et une productivité accrue.


Comptez sur VeteKeMicon et notre cycle de revêtement CVD TAC pour des performances fiables et efficaces, vous positionnant à l'avant-garde de la technologie de croissance des cristaux SIC.


Méthode Pvt Croissance cristalline SIC:



Spécification du CVD Revêtement en carbure de tantale Anneau:

Propriétés physiques du revêtement TAC
Densité 14.3 (g / cm³)
Émissivité spécifique 0.3
Coefficient de dilatation thermique 6.3 * 10-6/ K
Dureté (HK) 2000 HK
Résistance 1 × 10-5Ohm * cm
Stabilité thermique <2500 ℃
Modifications de la taille du graphite -10 ~ -20UM
Épaisseur de revêtement Valeur typique ≥20UM (35UM ± 10UM)

Aperçu du semi-conducteur Chaîne de l'industrie de l'épitaxie de la puce:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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SiC Graphite substrateGraphite Heating Unit testSilicon carbide ceramic processingEPI process equipment


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