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Plaquettes de nitrure d'aluminium (AlN)
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Plaquettes de nitrure d'aluminium (AlN)

VeTek Semiconductor fournit des tranches et des substrats monocristallins en nitrure d'aluminium (AlN) de haute qualité pour les dispositifs semi-conducteurs à bande interdite ultra-large de nouvelle génération. Avec une bande interdite ultra-large d'environ 6,2 eV, une conductivité thermique exceptionnelle, une isolation électrique exceptionnelle et une excellente correspondance de réseau et de dilatation thermique avec le GaN, les plaquettes d'AlN sont idéales pour les dispositifs RF haute puissance, l'électronique de puissance haute tension et l'optoélectronique ultraviolet profond (DUV).


1. Principales caractéristiques et avantages

• Bande interdite ultra-large ≈ 6,2 eV – la plus élevée parmi les matériaux semi-conducteurs traditionnels

• Conductivité thermique élevée ≈ 320 W/m·K pour une dissipation thermique efficace

• Excellente isolation électrique (>10¹³ Ω·cm) et champ de claquage élevé (12-15 MV/cm)

• Bonne correspondance de réseau et de dilatation thermique avec GaN - idéal pour les hétérostructures GaN-sur-AlN

• Options de faible densité de luxation avec contrôle strict de la courbe de bascule HR-XRD

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) et N-face MP pour les surfaces épi-ready

• Plusieurs tailles et qualités (P/R/D) pour répondre aux exigences de production et de recherche.

2. Applications typiques

• Dispositifs RF haute puissance pour les communications radar et 6G

• Electronique de puissance haute tension pour réseau, centres de données et véhicules électriques

• LED et diodes laser ultraviolets profonds (UVC)

• Croissance épitaxiale GaN-sur-AlN et dispositifs avancés d'hétérostructure

• Composants semi-conducteurs haute température, haute fréquence et environnements difficiles

3. Tailles disponibles et qualités

VeTek propose des plaquettes AlN dans les formats standard suivants. Les tailles et spécifications personnalisées peuvent être discutées sur demande.

• Substrats carrés de 10 × 10 mm

• Plaquettes de 1 pouce (25,4 mm)

• Plaquettes de 2 pouces (50,8 mm)

Niveaux de qualité : grade P (produit), grade R (recherche), grade D (expérimental), différenciés principalement par la courbe à bascule HR-XRD FWHM et la qualité globale des cristaux.

4. Principales spécifications techniques

Paramètres communs à toutes les tailles (valeurs typiques ; dépendant du grade lorsque cela est indiqué) :

Paramètre

Catégorie P

Catégorie R

Catégorie D

Orientation

(0001) ± 0,5°

Épaisseur

450 μm ± 25 μm

HR-XRD FWHM (002)

≤ 100 arcsec

≤ 200 arcsec

≤ 300 arcsec

HR-XRD FWHM (102)

≤ 80 arcsec

≤ 150 arcsec

≤ 250 arcsec

Polissage des surfaces

Al-face CMP, N-face MP

Rugosité de surface Ra

Al ≤ 0,5 nm ; N ≤ 1,2 μm

Rayures / Écailles (œil nu)

Aucun

Exclusion de bord

1 mm

Conditionnement

Boîte à une plaquette

Tolérances géométriques spécifiques à la taille :

• 10×10 mm : Longueur du côté 10 mm ± 0,5 mm ; TTV ≤ 15 μm ; Arc ≤ 15 μm

• 1 pouce : diamètre 25,4 mm ± 0,5 mm ; Surface utilisable ≥ 90 % ; TTV ≤ 20 μm ; Arc ≤ 20 μm ; Plat primaire (10-10) ± 5°, longueur 8 mm ± 1 mm

• 2 pouces : diamètre 50,8 mm ± 0,5 mm ; Surface utilisable ≥ 90 % ; TTV ≤ 30 μm ; Arc ≤ 30 μm ; Longueur du plat primaire 16 mm ± 2 mm

5. Pourquoi choisir les plaquettes VeTek AlN ?

En tant que fournisseur spécialisé de matériaux et composants semi-conducteurs avancés, VeTek Semiconductor fournit :

• Plaquettes monocristallines AlN de haute qualité avec une qualité cristalline contrôlée et des surfaces épi-prêtes

• Plusieurs options de taille et de qualité pour prendre en charge à la fois la production d'appareils et les programmes de recherche

• Solutions complémentaires de plaquettes et de substrats dans le cadre du portefeuille de matériaux semi-conducteurs VeTek

• Support technique pour la sélection des matériaux et l’adéquation des processus

Nos plaquettes AlN aident nos clients à accélérer le développement de dispositifs optoélectroniques haute puissance RF, haute tension et UV profonds qui exigent la combinaison unique d'une bande interdite ultra large, d'une conductivité thermique élevée et d'une compatibilité GaN offerte par le nitrure d'aluminium.


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