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Isolation de 4 pouces Felt rigide - corps
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Isolation de 4 pouces Felt rigide - corps

Isolation de 4 pouces Felt rigide - Le corps fourni par le semi-conducteur Vetek est un matériau d'isolation rigide en fibre de carbone de haute qualité. Il a d'excellentes performances d'isolation et de la durabilité. Il peut isoler efficacement la chaleur, le son et le choc, et convient à une variété d'applications. Vetek Semiconductor a hâte d'établir une relation coopérative à long terme avec vous et de devenir partenaire sur le marché mondial.


En tant que feutre rigide d'isolation de haute qualité de haute qualité - fabricant de corps, vous pouvez être assuré d'acheter un feutre rigide d'isolation de 4 pouces - corps de l'usine de Vetek Semiconductor.

Le feutre rigide d'isolation est une sorte de matériau d'isolation composite spécialement conçu pour un environnement extrême à haute température, l'utilisation de la technologie composite de lamincissement en fibre de carbone et en tissu de carbone, combinée à une technologie de traitement de carbonisation / graphization à haute température, a une pureté ultra-élevée (cendres ≤ 10 ppm), une excellente stabilité thermique et une résistance mécanique. Le matériau est conçu pour une utilisation dans les systèmes d'isolation thermique dans les fours de croissance monocristallines en carbure de silicium (SIC) pour répondre aux exigences exigeantes de l'uniformité du champ thermique, du gradient de température et des impuretés de la méthode de transfert de vapeur physique (PVT).


Caractéristiques des matériaux et du processus


Structure composite Design

Armature en tissu de carbone de surface: Grâce à un processus spécial pour le feutre en fibre de carbone et un composite de tissu de carbone à haute densité, la surface pour former une couche de protection dense, empêche efficacement le lavage d'air à haute température et le délestage des fibres, réduisez la libération d'impuretés.

Processus d'intégration multicouche: La couche centrale est en feuille de carbone, et le papier graphite ou le tissu de carbone est intégré au milieu. Après une purification secondaire à haute température (≥ 2000 ℃), la structure du matériau est densifiée et les impuretés sont profondément éliminées.

Pureté d'impureté ultra-faible

Teneur en cendres ≤10 ppm, assurez-vous qu'il n'y a pas d'ions métalliques, de sio₂ et d'autres impuretés volatilisation dans un environnement à haute température, éviter de polluer l'interface de croissance des cristaux, d'améliorer la pureté du carbure de silicium monocristal et de contrôle des défauts.

Adaptabilité de traitement

Les traitements de surface personnalisés (tels que le revêtement en feuille de graphite, le revêtement antioxydant), adapté à l'environnement du vide ou du gaz inerte (AR, N₂), des températures de fonctionnement couvrant 1200 ° C à 3000 ° C.


Paramètre de performance de base


Plage de paramètres indicateurs Fonctionnalité
Densité
0,42 ~ 0,55 g / cm³
Conductivité thermique (1500 ℃)
0.10-0.81 W / (M · K)
Résistance à la flexion
1,0 ~ 2,66MPA
Résistance à la compression
0,91 ~ 3,2 MPA
Résistivité
1000 ~ 5000 Ω · mm² / m
Température de fonctionnement maximale (vide)
≥3000 ℃


Champs et avantages d'application


Isolation de champ chaud en carbure de carbure de carbure de silicium

En tant que matériau central de la couche d'isolation du four, il peut réduire la perte de chaleur, maintenir le gradient de température de l'interface de croissance (ΔT≈20-50 ℃ / cm) et s'assurer que le taux de croissance axial / radial des cristaux est équilibré.

Utilisé avec un feutre doux pour former une structure d'isolation de gradient, réduire la contrainte thermique et prolonger la durée de vie du champ thermique.


Avantage concurrentiel

Stabilité thermique: Faible coefficient de dilatation thermique (CTE <2 × 10⁻⁶ / ℃), excellente résistance aux chocs thermiques, adapté aux conditions de montée et de refroidissement répétées.

Économie: Par rapport au feutre doux traditionnel, la durée de vie est augmentée de 3 à 5 fois, réduisant la fréquence des coûts de remplacement et de production de champ chaud.

Personnalisation: Cylindre de support, plaque et autres formes de traitement, précision dimensionnelle jusqu'à ± 0,5 mm, adaptée à une conception de fournaise différente.


Cas de candidature typique

Fournace de trempage à haute pression à haute pression: En tant que bouclier thermique, réduisez la consommation d'énergie de plus de 20%

Croissance des cristaux SIC de grande taille: pour les fours à cristaux de 8 pouces, déviation d'uniformité du champ thermique <1,5%





Aperçu de la chaîne de l'industrie de l'épitaxie des puces semi-conductrices:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Comparez l'atelier de production de semi-conducteurs:

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