Processus d'épitaxie SiC

Les revêtements en carbure uniques de VeTek Semiconductor offrent une protection supérieure aux pièces en graphite dans le processus d'épitaxie SiC pour le traitement de matériaux semi-conducteurs et semi-conducteurs composites exigeants. Le résultat est une durée de vie prolongée des composants en graphite, la préservation de la stœchiométrie de la réaction, l'inhibition de la migration des impuretés vers les applications d'épitaxie et de croissance cristalline, ce qui se traduit par un rendement et une qualité accrus.

Nos revêtements en carbure de tantale (TaC) protègent les composants critiques des fours et des réacteurs à haute température (jusqu'à 2 200 °C) contre l'ammoniac chaud, l'hydrogène, les vapeurs de silicium et les métaux en fusion. VeTek Semiconductor dispose d'une large gamme de capacités de traitement et de mesure du graphite pour répondre à vos besoins personnalisés. Nous pouvons donc proposer un revêtement payant ou un service complet, avec notre équipe d'ingénieurs experts prêts à concevoir la solution adaptée à vous et à votre application spécifique. .

Cristaux semi-conducteurs composés

VeTek Semiconductor peut fournir des revêtements TaC spéciaux pour divers composants et supports. Grâce au processus de revêtement de pointe de VeTek Semiconductor, le revêtement TaC peut obtenir une pureté élevée, une stabilité à haute température et une résistance chimique élevée, améliorant ainsi la qualité du produit des couches cristallines TaC/GaN) et EPL, et prolongeant la durée de vie des composants critiques du réacteur.

Isolateurs thermiques

Composants de croissance cristalline SiC, GaN et AlN, notamment creusets, porte-graines, déflecteurs et filtres. Assemblages industriels comprenant des éléments chauffants résistifs, des buses, des anneaux de blindage et des dispositifs de brasage, des composants de réacteurs CVD épitaxiaux GaN et SiC, notamment des supports de tranches, des plateaux satellites, des pommes de douche, des capuchons et des socles, des composants MOCVD.

 ● Support de plaquette LED (diode électroluminescente)

● Récepteur ALD (semi-conducteur)

● Récepteur EPI (processus d'épitaxie SiC)