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LPE SiC EPI Demi-lune
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LPE SiC EPI Demi-lune

LPE SIC EPI Halfmoon est une conception spéciale pour Horizonational Epitaxy Furnace, un produit révolutionnaire conçu pour élever les processus épitaxy du réacteur LPE. Cette solution de pointe possède plusieurs caractéristiques clés qui garantissent des performances et une efficacité supérieures tout au long de vos opérations de fabrication.Vetek Semiconductor est professionnel dans la fabrication du LPE SIC Halfmoon en 6 pouces, 8 pouces. En avant pour mettre en place une coopération à long terme avec vous.

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de LPE SiC Epi Halfmoon, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir une LPE SiC Epi Halfmoon de haute qualité.


LPE SIC EPI HalfMoon par Vetek Semiconductor, un produit révolutionnaire conçu pour élever les processus d'épitaxy du réacteur LPE. Cette solution de pointe possède plusieurs caractéristiques clés qui assurent des performances et une efficacité supérieures tout au long de vos opérations de fabrication.


Le LPE SIC EPI Halfmoon offre une précision et une précision exceptionnelles, garantissant une croissance uniforme et des couches épitaxiales de haute qualité. Sa conception innovante et ses techniques de fabrication avancées fournissent un support optimal de plaquettes et une gestion thermique, en fournissant des résultats cohérents et en minimisant les défauts. De plus, le LPE SIC EPI Halfmoon est recouvert d'une couche de carbure de tantale (TAC) de qualité supérieure, améliorant ses performances et sa durabilité. Ce revêtement TAC améliore considérablement la conductivité thermique, la résistance chimique et la résistance à l'usure, sauvegarde le produit et prolongeant sa durée de vie.


L'intégration du revêtement TAC dans le Halfmoon LPE SIC EPI apporte des améliorations significatives à votre flux de processus. Il améliore la gestion thermique, assurant une dissipation de chaleur efficace et le maintien d'une température de croissance stable. Cette amélioration entraîne une stabilité accrue du processus, une réduction de la contrainte thermique et un rendement global amélioré. De plus, le revêtement TAC minimise la contamination des matériaux, permettant un nettoyage et plus processus d'épitaxie contrôlé. Il agit comme une barrière contre les réactions et les impuretés indésirables, entraînant des couches épitaxiales de pureté plus élevées et une amélioration des performances de l'appareil.


Choisissez le LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor pour des processus d'épitaxie inégalés. Découvrez les avantages de sa conception avancée, de sa précision et du pouvoir transformateur duRevêtement TACdans l'optimisation de vos opérations de fabrication. Améliorez vos performances et obtenez des résultats exceptionnels avec la solution leader du secteur de VeTek Semiconductor.


Paramètre de produit du LPE SiC Epi Halfmoon

Propriétés physiques du revêtement TAC
Densité de revêtement 14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique 0.3
Coefficient de dilatation thermique 6,3*10-6/ K
Revêtement TaC Dureté (HK) 2000 Hong Kong
Résistance 1 × 10-5Ohm * cm
Stabilité thermique <2500 ℃
Modifications de la taille du graphite -10 ~ -20UM
Épaisseur du revêtement Valeur typique ≥20UM (35UM ± 10UM)


Atelier de production demi-lune VeTek Semiconductor LPE SiC EPI

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


Aperçu de la chaîne de l'industrie de l'épitaxie des puces semi-conductrices:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


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