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La principale différence entre l'épitaxie et le dépôt de couche atomique (ALD) réside dans leurs mécanismes de croissance du film et leurs conditions de fonctionnement. L'épitaxie fait référence au processus de croissance d'un film mince cristallin sur un substrat cristallin avec une relation d'orientation spécifique, en maintenant la même structure cristalline ou similaire. En revanche, l'ALD est une technique de dépôt qui consiste à exposer un substrat à différents précurseurs chimiques en séquence pour former une couche atomique à un film mince à la fois.

Le revêtement CVD TAC est un procédé permettant de former un revêtement dense et durable sur un substrat (graphite). Cette méthode consiste à déposer du TaC sur la surface du substrat à des températures élevées, ce qui donne un revêtement en carbure de tantale (TaC) présentant une excellente stabilité thermique et résistance chimique.

À mesure que le procédé au carbure de silicium (SiC) de 8 pouces évolue, les fabricants accélèrent le passage du 6 pouces au 8 pouces. Récemment, ON Semiconductor et Resonac ont annoncé des mises à jour sur la production de SiC de 8 pouces.

Cet article présente les derniers développements du nouveau réacteur CVD à paroi chaude PE1O8 de la société italienne LPE et sa capacité à réaliser une épitaxie uniforme de 4H-SiC sur du SiC de 200 mm.