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Adresse
Route Wangda, rue Ziyang, comté de Wuyi, ville de Jinhua, province du Zhejiang, Chine
Informations générales sur le produit
Lieu d'origine :
Chine
Nom de la marque :
Mon rival
Numéro de modèle :
Anneau de graphite enduit de CVD TaC-01
Attestation :
ISO9001
Conditions commerciales du produit
Quantité minimale de commande :
Sous réserve de négociation
Prix:
Contact pour un devis personnalisé
Détails de l'emballage :
Forfait d'exportation standard
Délai de livraison:
Délai de livraison : 30 à 45 jours après la confirmation de la commande
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
200 unités/mois
Application: L'anneau revêtu Veteksemicon CVD TaC est spécialement développé pourProcessus de croissance des cristaux de SiC. En tant que composant porteur clé dans la chambre de réaction à haute température, son revêtement TaC unique isole efficacement la corrosion par la vapeur de silicium, empêche la contamination par impuretés et assure la stabilité structurelle dans des environnements à haute température à long terme, offrant ainsi une garantie fiable pour l'obtention de cristaux de haute qualité.
Services pouvant être fournis: analyse de scénarios d'application client, mise en adéquation des matériaux, résolution de problèmes techniques.
Profil de l'entreprisee:Veteksemicon dispose de 2 laboratoires, d'une équipe d'experts avec 20 ans d'expérience dans les matériaux, avec des capacités de R&D et de production, de test et de vérification.
L'anneau revêtu Veteksemicon CVD TaC est un consommable de base conçu pour le dépôt chimique en phase vapeur à haute température et la croissance cristalline de matériaux semi-conducteurs avancés, en particulier le carbure de silicium. Nous utilisons une technologie unique et optimisée de dépôt chimique en phase vapeur pour déposer une couche dense et uniforme.revêtement en carbure de tantalesur un substrat en graphite de haute pureté. Avec une résistance exceptionnelle aux hautes températures, une excellente résistance à la corrosion et une durée de vie extrêmement longue, ce produit protège efficacement la qualité des cristaux et réduit considérablement vos coûts de production globaux, ce qui en fait un choix essentiel pour les processus nécessitant une stabilité de processus et le rendement le plus élevé.
Paramètres techniques :
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projet |
paramètre |
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Matériau de base |
Graphite de haute pureté pressé isostatiquement (pureté ≥ 99,99 %) |
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Matériau de revêtement |
Carbure de tantale |
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Technologie de revêtement |
Dépôt chimique en phase vapeur à haute température |
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Épaisseur du revêtement |
Standard 30-100μm (peut être personnalisé selon les exigences du processus) |
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Revêtement purity |
≥99,995% |
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Température de fonctionnement maximale |
2200°C (atmosphère inerte ou vide) |
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Principales applications |
Croissance cristalline SiC PVT/LPE, MOCVD, autres procédés CVD à haute température |
Pureté et stabilité inégalées
Dans l’environnement extrême de croissance des cristaux de SiC, où les températures dépassent 2 000 °C, même des traces d’impuretés peuvent détruire les propriétés électriques de l’ensemble du cristal. NotreRevêtement CVD TaC, avec sa pureté exceptionnelle, élimine fondamentalement la contamination de l'anneau. De plus, son excellente stabilité à haute température garantit que le revêtement ne se décomposera pas, ne se volatilisera ou ne réagira pas avec les gaz de traitement pendant des cycles thermiques et à haute température prolongés, fournissant ainsi un environnement en phase vapeur pure et stable pour la croissance des cristaux.
Excellente corrosion etrésistance à l'érosion
La corrosion du graphite par la vapeur de silicium est la principale cause de défaillance et de contamination par des particules dans les anneaux de graphite traditionnels. Notre revêtement TaC, avec sa réactivité chimique extrêmement faible avec le silicium, bloque efficacement la vapeur de silicium, protégeant ainsi le substrat en graphite sous-jacent de l'érosion. Cela prolonge non seulement considérablement la durée de vie de l'anneau lui-même, mais, plus important encore, réduit considérablement les particules générées par la corrosion et l'effritement du substrat, améliorant ainsi directement le rendement de croissance cristalline et la qualité interne.
Superbes performances mécaniques et durée de vie
Le revêtement TaC formé par le procédé CVD présente une densité et une dureté Vickers extrêmement élevées, ce qui le rend extrêmement résistant à l'usure et aux chocs physiques. Dans les applications pratiques, nos produits peuvent prolonger la durée de vie de 3 à 8 fois par rapport aux anneaux en graphite traditionnels ou aux anneaux revêtus de carbone pyrolytique/carbure de silicium. Cela signifie moins de temps d'arrêt pour le remplacement et une utilisation plus élevée des équipements, ce qui réduit considérablement le coût global de la production de monocristaux.
Excellente qualité de revêtement
Les performances d'un revêtement dépendent fortement de son uniformité et de sa force d'adhérence. Notre processus CVD optimisé nous permet d'obtenir une épaisseur de revêtement très uniforme, même sur les géométries d'anneaux les plus complexes. Plus important encore, le revêtement forme une liaison métallurgique solide avec le substrat en graphite de haute pureté, empêchant efficacement le pelage, la fissuration ou l'écaillage provoqués par les différences de coefficients de dilatation thermique lors des cycles de chauffage et de refroidissement rapides, garantissant ainsi des performances fiables et continues tout au long du cycle de vie du produit.
Avenant vérification de la chaîne écologique
La vérification de la chaîne écologique de Veteksemicon CVD TaC Coated Ring couvre les matières premières jusqu'à la production, a passé la certification des normes internationales et dispose d'un certain nombre de technologies brevetées pour garantir sa fiabilité et sa durabilité dans les domaines des semi-conducteurs et des nouvelles énergies.
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Sens de candidature |
Scénario typique |
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Croissance de cristaux de SiC |
Anneaux de support de noyau pour monocristaux 4H-SiC et 6H-SiC cultivés par les méthodes PVT (transport physique de vapeur) et LPE (épitaxie en phase liquide). |
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GaN sur épitaxie SiC |
Un support ou un assemblage dans un réacteur MOCVD. |
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Autres procédés semi-conducteurs à haute température |
Il convient à tout processus de fabrication avancé de semi-conducteurs nécessitant une protection du substrat en graphite dans des environnements à haute température et hautement corrosifs. |
Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des modalités de test d'échantillons, veuillezcontactez notre équipe de support techniquepour découvrir comment Veteksemicon peut améliorer l'efficacité de vos processus.
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