Suscepteur RTP à revêtement CVD SiC

Caractéristiques

• Uniformité thermique – La diffusivité thermique élevée du matériau permet un transfert de chaleur rapide et spatialement uniforme, prenant en charge des profils de température de tranche reproductibles.
• Niveau de pureté élevé – Le revêtement CVD SiC atteint une pureté de 99,99995 %, réduisant efficacement les risques de contamination par les ions mobiles et les métaux dans les étapes critiques du processus.
• Durabilité chimique – Le revêtement présente une forte résistance aux espèces corrosives, y compris les gaz à base d'halogène, à des températures élevées. Intervalles d'entretien prolongés – Une résistance améliorée à l'oxydation et à l'usure se traduit par moins de remplacements et une réduction des temps d'arrêt des outils.
• Flexibilité de conception – Les dimensions et les configurations peuvent être adaptées pour correspondre aux géométries spécifiques des chambres RTP et aux tailles de plaquettes.

Applications

• Traitement thermique rapide (RTP)
• Recuit thermique rapide (RTA)
• Activation des dopants Étapes d'oxydation et de recuit
• Fabrication de circuits intégrés (CI)
• Fabrication de dispositifs électriquesTechnique

Caractéristiques

Pourquoi choisir le semi-conducteur VeTek ?

· Processus de revêtement CVD SiC interne développé spécifiquement pour les exigences de qualité semi-conducteur.

· Capacités intégrées pour la purification du graphite, l'usinage de précision et le contrôle de l'épaisseur du revêtement.

· Adhérence prouvée du revêtement et uniformité des couches tout au long de la production par lots.

· Support technique pour les conceptions de suscepteurs personnalisées compatibles avec les principales plates-formes d'outils RTP.

· Une inspection rigoureuse des matériaux entrants, une surveillance en cours de processus et des tests de qualification finale garantissent la cohérence d'un lot à l'autre.