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Recette de dépôt de couche atomique ald27 2024-07

Recette de dépôt de couche atomique ald

ALD spatial, dépôt de couche atomique isolé spatialement. La tranche se déplace entre différentes positions et est exposée à différents précurseurs à chaque position. La figure ci-dessous est une comparaison entre l'ALD traditionnel et l'ALD isolé spatialement.
Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution réduit de 75%?27 2024-07

Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution réduit de 75%?

Récemment, le Fraunhofer IISB allemand de recherche a fait une percée dans la recherche et le développement de la technologie de revêtement de carbure de tantale, et a développé une solution de revêtement par pulvérisation plus flexible et respectueuse de l'environnement que la solution de dépôt CVD et a été commercialisée.
Application exploratoire de la technologie d'impression 3D dans l'industrie des semi-conducteurs19 2024-07

Application exploratoire de la technologie d'impression 3D dans l'industrie des semi-conducteurs

À une époque de développement technologique rapide, l’impression 3D, en tant que représentant important de la technologie de fabrication avancée, change progressivement le visage de la fabrication traditionnelle. Grâce à la maturité technologique continue et à la réduction des coûts, la technologie d'impression 3D a montré de larges perspectives d'application dans de nombreux domaines tels que l'aérospatiale, la construction automobile, les équipements médicaux et la conception architecturale, et a favorisé l'innovation et le développement de ces industries.
Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)16 2024-07

Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)

Les matériaux monocristaux ne peuvent pas répondre aux besoins de la production croissante de divers dispositifs semi-conducteurs. À la fin de 1959, une mince couche de technologie de croissance des matériaux monocristallines - une croissance épitaxiale a été développée.
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