Four de croissance de cristaux SiC à chauffage par résistance de grande taille

Paramètres techniques

Avantages principaux

 ● Compatibilité pleine taille

Permet une croissance stable de cristaux de carbure de silicium de 6 pouces, 8 pouces et 12 pouces, entièrement compatible avec les systèmes de matériaux conducteurs, semi-isolants et de type N. Il couvre les besoins de production de produits avec des spécifications différentes et s'adapte à divers scénarios d'application.

● Forte stabilité du processus

Les cristaux de 8 pouces ont une excellente consistance du polytype 4H, une forme de surface stable et une répétabilité élevée ; la technologie de croissance de cristaux de carbure de silicium de 12 pouces a terminé la vérification avec une faisabilité de production de masse élevée.

● Faible taux de défauts cristallins

Grâce à un contrôle précis de la température, de la pression et de la puissance, les défauts cristallins sont efficacement réduits grâce à des indicateurs clés répondant aux normes : EPD=1 435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² et TED=1 054 ea/cm². Tous les indicateurs de défauts répondent aux exigences de qualité cristalline de haute qualité, améliorant considérablement le rendement des lingots.

● Coûts d'exploitation contrôlables

Il a la consommation d'énergie la plus faible parmi les produits similaires. Les composants principaux (tels que les écrans d'isolation thermique) ont un long cycle de remplacement de 6 à 12 mois, réduisant ainsi les coûts d'exploitation globaux.

● Commodité Plug-and-Play

Ensembles de recettes et de processus personnalisés basés sur les caractéristiques de l'équipement, vérifiés grâce à une production à long terme et en plusieurs lots, permettant une production immédiate après l'installation.

● Sécurité et fiabilité

Adopte une conception spéciale d'étincelle anti-arc pour éliminer les risques potentiels pour la sécurité ; Les fonctions de surveillance en temps réel et d’alerte précoce évitent de manière proactive les risques opérationnels.

● Excellentes performances de vide

Les indicateurs de vide ultime et de taux de montée en pression dépassent les niveaux les plus élevés au niveau international, garantissant ainsi un environnement propre pour la croissance des cristaux.

● Fonctionnement et maintenance intelligents

Dispose d'une interface IHM intuitive combinée à un enregistrement complet des données, prenant en charge des fonctions de surveillance à distance en option pour une gestion de production efficace et pratique.

Affichage visuel des performances de base

Courbe de précision du contrôle de la température

Précision du contrôle de la température du four de croissance cristalline ≤ ±0,3°C ; Aperçu de la courbe de température

Graphique de précision du contrôle de pression

Précision du contrôle de pression du four de croissance cristalline: 1,0 Torr, Précision du contrôle de pression: 0,001 Torr

Précision de stabilité de puissance

Stabilité et cohérence entre fours/lots : La précision de la stabilité de la puissance

Dans l'état de croissance cristalline, la précision du contrôle de puissance pendant une croissance cristalline stable est de ± 0,15 %.

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