Nouvelles

Les principales méthodes de croissance du carbure de silicium (SiC) incluent le PVT, le TSSG et le HTCVD, chacune présentant des avantages et des défis distincts. Les matériaux de champ thermique à base de carbone tels que les systèmes d'isolation, les creusets, les revêtements TaC et le graphite poreux améliorent la croissance cristalline en offrant stabilité, conductivité thermique et pureté, essentielles à la fabrication et à l'application précises du SiC.

Le SiC présente une dureté, une conductivité thermique et une résistance à la corrosion élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement CVD SiC est créé par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique et une constante de réseau adaptée à la croissance épitaxiale. Sa faible dilatation thermique et sa dureté élevée garantissent durabilité et précision, ce qui le rend essentiel dans des applications telles que les supports de plaquettes, les anneaux de préchauffage, etc. VeTek Semiconductor est spécialisé dans les revêtements SiC personnalisés pour divers besoins industriels.

Le carbure de silicium (SIC) est un matériau semi-conducteur de haute précision connu pour ses excellentes propriétés comme une résistance à haute température, une résistance à la corrosion et une forte résistance mécanique. Il a plus de 200 structures cristallines, le 3C-SIC étant le seul type cube, offrant une sphéricité et une densification naturelles supérieures par rapport à d'autres types. 3C-SIC se distingue par sa forte mobilité électronique, ce qui le rend idéal pour les MOSFET dans l'électronique de puissance. De plus, il montre un grand potentiel dans la nanoélectronique, les LED bleues et les capteurs.