Nouvelles

Nouvelles

Nous sommes heureux de partager avec vous les résultats de notre travail, les nouvelles de l'entreprise et de vous informer en temps opportun des développements et des conditions de nomination et de renvoi du personnel.
Recette de dépôt de couche atomique ald27 2024-07

Recette de dépôt de couche atomique ald

ALD spatial, dépôt de couche atomique isolé spatialement. La tranche se déplace entre différentes positions et est exposée à différents précurseurs à chaque position. La figure ci-dessous est une comparaison entre l'ALD traditionnel et l'ALD isolé spatialement.
Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution réduit de 75%?27 2024-07

Tantalum Carbide Technology Breakthrough, SIC Epitaxial Pollution réduit de 75%?

Récemment, le Fraunhofer IISB allemand de recherche a fait une percée dans la recherche et le développement de la technologie de revêtement de carbure de tantale, et a développé une solution de revêtement par pulvérisation plus flexible et respectueuse de l'environnement que la solution de dépôt CVD et a été commercialisée.
Application exploratoire de la technologie d'impression 3D dans l'industrie des semi-conducteurs19 2024-07

Application exploratoire de la technologie d'impression 3D dans l'industrie des semi-conducteurs

À une époque de développement technologique rapide, l’impression 3D, en tant que représentant important de la technologie de fabrication avancée, change progressivement le visage de la fabrication traditionnelle. Grâce à la maturité technologique continue et à la réduction des coûts, la technologie d'impression 3D a montré de larges perspectives d'application dans de nombreux domaines tels que l'aérospatiale, la construction automobile, les équipements médicaux et la conception architecturale, et a favorisé l'innovation et le développement de ces industries.
Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)16 2024-07

Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)

Les matériaux monocristaux ne peuvent pas répondre aux besoins de la production croissante de divers dispositifs semi-conducteurs. À la fin de 1959, une mince couche de technologie de croissance des matériaux monocristallines - une croissance épitaxiale a été développée.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept