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Le SiC présente une dureté, une conductivité thermique et une résistance à la corrosion élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement CVD SiC est créé par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique et une constante de réseau adaptée à la croissance épitaxiale. Sa faible dilatation thermique et sa dureté élevée garantissent durabilité et précision, ce qui le rend essentiel dans des applications telles que les supports de plaquettes, les anneaux de préchauffage, etc. VeTek Semiconductor est spécialisé dans les revêtements SiC personnalisés pour divers besoins industriels.

Le carbure de silicium (SIC) est un matériau semi-conducteur de haute précision connu pour ses excellentes propriétés comme une résistance à haute température, une résistance à la corrosion et une forte résistance mécanique. Il a plus de 200 structures cristallines, le 3C-SIC étant le seul type cube, offrant une sphéricité et une densification naturelles supérieures par rapport à d'autres types. 3C-SIC se distingue par sa forte mobilité électronique, ce qui le rend idéal pour les MOSFET dans l'électronique de puissance. De plus, il montre un grand potentiel dans la nanoélectronique, les LED bleues et les capteurs.

Diamond, un «semi-conducteur ultime» potentiel de quatrième génération, attire l'attention dans les substrats de semi-conducteurs en raison de sa dureté exceptionnelle, de la conductivité thermique et de ses propriétés électriques. Bien que ses défis à coût élevé et à production limitent son utilisation, la MCV est la méthode préférée. Malgré le dopage et les défis de cristal à grande surface, Diamond est prometteur.