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Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)16 2024-07

Technologie de préparation à l'épitaxie du silicium (Si)

Les matériaux monocristaux ne peuvent pas répondre aux besoins de la production croissante de divers dispositifs semi-conducteurs. À la fin de 1959, une mince couche de technologie de croissance des matériaux monocristallines - une croissance épitaxiale a été développée.
Basé sur la technologie de fournaise de croissance monocristalline de carbure de silicium 8 pouces11 2024-07

Basé sur la technologie de fournaise de croissance monocristalline de carbure de silicium 8 pouces

Le carbure de silicium est l'un des matériaux idéaux pour fabriquer des dispositifs à haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension. Afin d'améliorer l'efficacité de la production et de réduire les coûts, la préparation de substrats en carbure de silicium de grande taille est une direction de développement importante.
Les entreprises chinoises développeraient des puces de 5 nm avec Broadcom!10 2024-07

Les entreprises chinoises développeraient des puces de 5 nm avec Broadcom!

Selon des informations étrangères, deux sources ont révélé le 24 juin que ByteDance travaillait avec la société américaine de conception de puces Broadcom pour développer un processeur informatique avancé d'intelligence artificielle (IA), qui aidera ByteDance à assurer un approvisionnement adéquat en puces haut de gamme dans un contexte de tensions entre la Chine. et les États-Unis.
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