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Le revêtement CVD TAC est un procédé permettant de former un revêtement dense et durable sur un substrat (graphite). Cette méthode consiste à déposer du TaC sur la surface du substrat à des températures élevées, ce qui donne un revêtement en carbure de tantale (TaC) présentant une excellente stabilité thermique et résistance chimique.

À mesure que le procédé au carbure de silicium (SiC) de 8 pouces évolue, les fabricants accélèrent le passage du 6 pouces au 8 pouces. Récemment, ON Semiconductor et Resonac ont annoncé des mises à jour sur la production de SiC de 8 pouces.

Cet article présente les derniers développements du nouveau réacteur CVD à paroi chaude PE1O8 de la société italienne LPE et sa capacité à réaliser une épitaxie uniforme de 4H-SiC sur du SiC de 200 mm.